發(fā)布時(shí)間：2018-08-12 17:29

【摘要】：聚合物介質(zhì)材料的電荷輸運(yùn)特性決定介質(zhì)的空間電荷積聚特性�？臻g電荷積聚會(huì)造成介質(zhì)中電場(chǎng)畸變,當(dāng)介質(zhì)中的局部電場(chǎng)達(dá)到一定閾值,電-機(jī)械應(yīng)力、或電荷脫陷過(guò)程中釋放的能量會(huì)造成材料的老化或劣化、甚至擊穿,影響電力設(shè)備、航天器的安全運(yùn)行和壽命。介質(zhì)的電荷輸運(yùn)特性決定著材料的空間電荷積聚水平,然而一些高阻聚合物介質(zhì)材料的電導(dǎo)機(jī)制、空間電荷形成與傳導(dǎo)等電荷輸運(yùn)特性和機(jī)理尚不完全清楚。因此,有必要深入系統(tǒng)地研究聚合物介質(zhì)材料電荷輸運(yùn)特性和機(jī)理。本文研究了聚合物介質(zhì)材料中存在單一分立能級(jí)陷阱、多重分立能級(jí)陷阱和指數(shù)能級(jí)分布陷阱時(shí),介質(zhì)中的電荷入陷/脫陷動(dòng)力學(xué)響應(yīng)特性,穩(wěn)態(tài)載流子有效遷移率及其隨陷阱分布、電荷密度、溫度和電場(chǎng)的變化關(guān)系,及空間電荷限制電流(SCLC)特性。測(cè)試了電子束輻射后聚酰亞胺(PI)材料的二維表面電位衰減(SPD)特性,建立了SPD模型,計(jì)算了材料的表面和體電荷輸運(yùn)參數(shù)。采用雙極性電荷輸運(yùn)模型(BCT)仿真計(jì)算了SPD過(guò)程中的表面電荷衰減、體內(nèi)電荷和電場(chǎng)分布時(shí)空演變特性。研究了高溫強(qiáng)場(chǎng)下PI薄膜的SCLC電流特性、及不同SCLC電流區(qū)的電荷輸運(yùn)特性和機(jī)理。首先,研究了陷阱捕獲效應(yīng)對(duì)介質(zhì)電荷入陷/脫陷動(dòng)力學(xué)響應(yīng)特性、電荷輸運(yùn)特性和SCLC電流的影響規(guī)律。提出了庫(kù)侖勢(shì)壘電荷捕獲修正模型,得到了陷阱捕獲截面和捕獲概率解析表達(dá)式。推導(dǎo)了載流子有效遷移率和SCLC電流隨陷阱能級(jí)、載流子遷移率邊緣、溫度、電荷密度和電場(chǎng)變化的解析表達(dá)式。其次,研究了溫度在298-338K、電場(chǎng)強(qiáng)度小于5.4×107Vm-1時(shí),厚度為27μm PI材料的SPD特性和電荷輸運(yùn)特性。考慮材料的表面?zhèn)鲗?dǎo)和體傳導(dǎo)過(guò)程,建立了結(jié)合遺傳算法的二維SPD模型,計(jì)算得到了不同溫度下PI材料的視在表面電阻率、體歐姆電阻率和載流子有效遷移率,及視在表面電阻率和體歐姆電阻率的活化能和材料的深陷阱能級(jí)。再次,采用BCT模型仿真研究了PI材料在室溫不同初始表面電位時(shí)的SPD特性和空間電荷時(shí)空演變特性,提取了材料的電荷輸運(yùn)參數(shù)。BCT模型結(jié)合遺傳算法計(jì)算得到了不同初始表面電位時(shí)材料的SPD曲線,得到了經(jīng)過(guò)優(yōu)化的松弛極化和電荷輸運(yùn)參數(shù)。將優(yōu)化過(guò)的參數(shù)帶入BCT模型中,計(jì)算得到了SPD過(guò)程中材料的表面沉積電荷、體內(nèi)自由電荷分布、陷阱電荷分布和電場(chǎng)分布隨時(shí)間的變化特性。接著,研究了多重分立能級(jí)陷阱和指數(shù)能級(jí)分布陷阱中電荷動(dòng)力學(xué)響應(yīng)特性,及穩(wěn)態(tài)載流子有效遷移率隨陷阱分布、電荷密度和溫度等的變化特性。通過(guò)理論推導(dǎo)和數(shù)值仿真研究了電荷入陷/脫陷動(dòng)力學(xué)響應(yīng)特性,得到了等效電路模型。推導(dǎo)得出了穩(wěn)態(tài)時(shí)陷阱電荷密度與自由電荷密度的關(guān)系式,得到了指數(shù)能級(jí)分布陷阱中載流子有效遷移率的解析表達(dá)式。最后,研究了在高溫(593-673K)、強(qiáng)場(chǎng)(107-3×108Vm-1)條件下,厚度為1.4μm PI薄膜的電荷輸運(yùn)特性和空間電荷分布特性。研究PI薄膜的單一分立能級(jí)陷阱和指數(shù)能級(jí)分布陷阱SCLC電流特性,計(jì)算得到了PI材料的陷阱分布參數(shù)。然后,計(jì)算得到了介質(zhì)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)和載流子有效遷移率隨電荷密度和溫度的變化關(guān)系,以及不同SCLC電流區(qū)介質(zhì)中的電荷密度和電場(chǎng)隨位置的分布特性。
[Abstract]:Charge transport characteristics of polymer dielectric materials determine the space charge accumulation characteristics of the medium.Space charge accumulation will cause electric field distortion in the medium.When the local electric field in the medium reaches a certain threshold,the electrical-mechanical stress or the energy released during the process of charge collapse will cause aging or deterioration of the material,even breakdown,and affect the power equipment. Safe operation and lifetime of spacecraft. Charge transport properties of dielectric determine the level of space charge accumulation of materials. However, the conductivity mechanism, space charge formation and conduction characteristics and mechanism of some high-resistivity polymer dielectric materials are not completely clear. Therefore, it is necessary to study the charge of polymer dielectric materials thoroughly and systematically. Transport properties and mechanisms. The dynamic response of charge trapping/detachment, the effective mobility of steady-state carriers and its dependence on trap distribution, charge density, temperature and electric field are investigated in polymer media with single discrete level traps, multiple discrete level traps and exponential level distribution traps. Space Charge Limited Current (SCLC) Characteristic. The two-dimensional surface potential attenuation (SPD) characteristics of polyimide (PI) materials irradiated by electron beam were measured. The SPD model was established and the surface and bulk charge transport parameters were calculated. The surface charge attenuation, internal charge and electrical properties were simulated by bipolar charge transport model (BCT). The characteristics of SCLC current and charge transport in different SCLC current regions are studied. Firstly, the effects of trap trapping on the dynamic response of dielectric charge entrapment/detachment, charge transport and SCLC current are studied. The analytical expressions of trap capture cross section and trap probability are obtained by modifying the model. The analytical expressions of carrier effective mobility and SCLC current with trap energy level, carrier mobility edge, temperature, charge density and electric field are derived. Secondly, the thickness of 27 micron PI material is studied when the temperature is 298-338K and the electric field intensity is less than 5.4 *107Vm-1. SPD characteristics and charge transport properties of PI materials are studied. Considering the surface conduction and bulk conduction process of PI materials, a two-dimensional SPD model based on genetic algorithm is established. The apparent surface resistivity, bulk ohmic resistivity and carrier effective mobility of PI materials at different temperatures, and the activation energies of apparent surface resistivity and bulk ohmic resistivity are calculated. Thirdly, the SPD characteristics and space-time charge evolution of PI materials at different initial surface potentials at room temperature are simulated by BCT model. The charge transport parameters are extracted. The SPD curves of PI materials at different initial surface potentials are obtained by BCT model and genetic algorithm. The relaxation polarization and charge transport parameters are obtained. The surface deposition charge, the free charge distribution, the trap charge distribution and the electric field distribution in the SPD process are calculated by introducing the optimized parameters into the BCT model. The dynamic response characteristics of charge trapping/detachment are studied by theoretical derivation and numerical simulation, and the equivalent circuit model is obtained. The relationship between trap charge density and free charge density is deduced. Finally, the charge transport and space charge distribution characteristics of PI thin films with thickness of 1.4 micron at high temperature (593-673K) and high field (107-3 *108Vm-1) are studied. The current characteristics of single discrete level trap and exponential level distribution trap SCLC of PI thin films are studied. The trap distribution parameters of PI material are calculated. Then, the relationship between the quasi-Fermi level and carrier effective mobility with charge density and temperature, and the distribution characteristics of charge density and electric field with position in different SCLC current regions are obtained.
【學(xué)位授予單位】：西安交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：博士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：TM21

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本文編號(hào)：2179780