發(fā)布時(shí)間：2024-06-11 05:12

　　聚偏氟乙烯(PVDF)由于其本身優(yōu)異的壓電、熱釋電和鐵電性能,受到越來越多來自不同領(lǐng)域科研工作者的關(guān)注。通常,PVDF半結(jié)晶高聚物有五種不同的晶型包括:α、β、γ、δ和ε相,其中β相具有最大的偶極矩、壓電系數(shù)和介電常數(shù)。同時(shí),PVDF基復(fù)合材料表現(xiàn)出良好的物理機(jī)械性能、易加工性、化學(xué)穩(wěn)定性和高生物相容性等特點(diǎn),使它們在柔性存儲器、傳感器和電子皮膚等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。為了彌補(bǔ)PVDF本身介電常數(shù)低的缺點(diǎn)以擴(kuò)大其應(yīng)用范圍,研究者們通過添加高介電常數(shù)的陶瓷或?qū)щ娞盍?不斷優(yōu)化和改進(jìn),獲得一系列具有優(yōu)異介電性能的復(fù)合材料。但這些方法在提高復(fù)合材料介電常數(shù)的同時(shí),也帶來諸多的問題,比如介電損耗增加、機(jī)械強(qiáng)度變差、擊穿強(qiáng)度降低等。為了改善PVDF基復(fù)合體系的介電性能,在獲得較高介電常數(shù)的同時(shí),盡量保證較低的損耗、較高的機(jī)械強(qiáng)度和擊穿強(qiáng)度,本文通過引入高介電常數(shù)陶瓷和高導(dǎo)電性碳材料,結(jié)合表面修飾處理、多相復(fù)合和多層薄膜構(gòu)建等方法,制備出一系列具有高介電常數(shù)和低損耗的PVDF基復(fù)合薄膜材料。具體工作內(nèi)容如下:1.利用表面修飾的多壁碳納米管和鈦酸鋇粒子構(gòu)建PVDF基三相體系。通過表面修飾,一方面...

【文章頁數(shù)】：122 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１?（ａ）有機(jī)基底的技術(shù)動(dòng)向和市場

高介電常數(shù)材料用于由集成電路（ＩＣｓ）和無源元件組成的電??子系統(tǒng)，由于電子工業(yè)在向具有更高功能性方向發(fā)展，使得無源元件使用的數(shù)量??在穩(wěn)步增長。例如，在一個(gè)移動(dòng)便攜式電話中，無源與活性元件之間的比值超過??２０［１］。在新一代的包裝工藝中，無源元件比如：電容器（Ｃ），電阻（Ｒ）....

圖１．２電容器、電阻和感應(yīng)器的市場份額１３１??表格１．１電容器的應(yīng)用和性能??應(yīng)用?數(shù)值范圍?所需穩(wěn)定性?所需耐??

?第一章緒論???ｃｉｒｃｕｉｔ?ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ?＊?ｉｎｄｕｃｔｏｒｓ??ｃａｐａｃｉｔｏｒｓ??圖１．２電容器、電阻和感應(yīng)器的市場份額１３１??表格１．１電容器的應(yīng)用和性能??應(yīng)用?數(shù)值范圍?所需穩(wěn)定性?所需耐??濾波、定時(shí)?１?ｐＦ－１００ｎＦ?中等??交／直流轉(zhuǎn)換?....

圖１．３分別使用高介電材料前和后的電纜終端電場分布（ａ）和（ｂ）狀態(tài)圖，從１０％－９０％??的數(shù)值代表了電場在該點(diǎn)處的分布??

?第一章緒論???＿?－一贏—??ｌａｙｅｒ—ｍｉ??Ｈ－ｉｎｓｔｔｌａｔｉｏｎ?ｌａ＞ｅｒ??Ｈ?ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ?■??（ａ）?（ｂ）??圖１．３分別使用高介電材料前和后的電纜終端電場分布（ａ）和（ｂ）狀態(tài)圖，從１０％－９０％??的數(shù)值代表了電場在該點(diǎn)處的分布??１．２聚偏....

圖１．４?ＰＶＤＦ的四種結(jié)晶構(gòu)相??聚偏氟乙烯（ＰＶＤＦ）是一種高度無反應(yīng)活性和純熱塑性含氟聚合物，是由??偏氟乙烯聚合而成

?第一章緒論???＿?－一贏—??ｌａｙｅｒ—ｍｉ??Ｈ－ｉｎｓｔｔｌａｔｉｏｎ?ｌａ＞ｅｒ??Ｈ?ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ?■??（ａ）?（ｂ）??圖１．３分別使用高介電材料前和后的電纜終端電場分布（ａ）和（ｂ）狀態(tài)圖，從１０％－９０％??的數(shù)值代表了電場在該點(diǎn)處的分布??１．２聚偏....

本文編號：3992458