發(fā)布時間：2024-06-04 03:46

　　以數(shù)字集成電路為基礎的各類微處理器和微控制器廣泛應用于社會的各個行業(yè),處于信息采集和處理的中心位置。由于集成電路的基礎地位,其可靠性就成為了整個系統(tǒng)正常工作的重要因素,尤其是在航天和軍事應用等方面。 當高能粒子入射半導體材料時,晶體管中的敏感區(qū)域會收集產生的電荷。如果收集的電荷足夠多,由此而產生的單粒子效應會暫時改變節(jié)點的邏輯值,造成一個軟錯誤。隨著集成電路工藝的升級,軟錯誤已成為影響電路可靠性的主要因素。與存儲電路相比,邏輯電路的軟錯誤率一直處于相對較低的狀態(tài)。當工藝進入納米級之后,邏輯電路軟錯誤率迅速上升,有超越存儲電路的趨勢。 本文針對集成電路中的軟錯誤,介紹了軟錯誤的形成機理以及評估和加固方法,研究了邏輯電路中軟錯誤的產生過程和評估方法,提出了一種用于評估邏輯電路軟錯誤率的模型。 本文提出的邏輯電路軟錯誤率評估模型基于軟錯誤的產生過程,分析了誘發(fā)軟錯誤的瞬時脈沖的產生、傳播和捕獲三個階段,利用邏輯電路中固有的邏輯屏蔽效應、電氣屏蔽效應和窗口屏蔽效應等現(xiàn)象來確定敏化路徑以加速計算。 本文提出的模型能夠從電路網(wǎng)表文件中獲取電路拓撲信息,能夠根據(jù)電路中邏輯門的尺寸信息來快速準確地計算...

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1太陽風與地球磁場

圖1.1太陽風與地球磁場含粒子的能量分布從10MeV到10GeV，通量很高，達度以11年為周期，在太陽活動極大年（SolarMax），太陽風強度急劇增加，耀斑期間的通量可達109cm電路產生致命故障，甚至能夠干擾地面上電子系統(tǒng)的為兩種：一種是所謂的“持續(xù)太陽風....

圖1.2范艾倫帶

圖1.1太陽風與地球磁場含粒子的能量分布從10MeV到10GeV，通量很高，達度以11年為周期，在太陽活動極大年（SolarMax），太陽風強度急劇增加，耀斑期間的通量可達109cm電路產生致命故障，甚至能夠干擾地面上電子系統(tǒng)的為兩種：一種是所謂的“持續(xù)太陽風....

圖1.3大氣輻射環(huán)境雖然衰減之后的這些次級粒子的能量減小，但在大氣層中的粒子密度急劇增6-2-1

3×104cm-2s-1。外范艾倫帶包含能量小于數(shù)兆電子伏特的質子和的電子，通量最高達1010cm-2s-1。陽耀斑期間，質子的全方位注量率可能增加若干個量級。在范子的全方位注量率最高可達1014cm-2s-1，其能量大于4MeV，率也高達1010cm-2s-1，能量大....

圖1.4高能粒子入射晶體管

圖1.4高能粒子入射晶體管EU和SET發(fā)生的不同位置，可以將軟錯誤分為存儲單元內的軟兩類。存儲單元內的軟錯誤又叫做單粒子翻轉，而邏單粒子瞬態(tài)。單粒子翻轉轉（SingleEventUpset，SEU）是指各種類型的存儲單元M單元、觸發(fā)器（Flip-Flop）和鎖存器（L....

本文編號：3988817