二維晶體生長(zhǎng)的數(shù)值模擬
【文章頁數(shù)】:54 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖5.19晶體位于位置點(diǎn)(a)a和(b)b時(shí),過柱面中心水平切面速度矢量投影Fig.5.19Velocityvectorprojectedontoaslicetakenthroughthecenterofprismunderthecrystal00.7(m/s)
5二維運(yùn)動(dòng)法KDP晶體生長(zhǎng)流動(dòng)與物質(zhì)輸運(yùn)數(shù)值模擬及晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)高,從而減小錐面中心和邊緣處的過飽和度差異。二維運(yùn)動(dòng)法中,上述工況下CD線上最大和最小過飽和度之差為0.56%,而參考文獻(xiàn)中[116]該差值達(dá)1.32%。③晶面附近可形成交替反向的剪切流。從以上流場(chǎng)圖可以推....
圖7 t=240min時(shí)刻Y=3.15mm處
(010)的濃度邊界層的情況:濃度邊界層隨時(shí)間變化,但厚度大體保持穩(wěn)定· 在t=240min時(shí)刻,根據(jù)數(shù)值模擬得到的濃度邊界層厚度為166μm,這與實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的200μm的結(jié)果相吻合(圖7)· 晶體生長(zhǎng)過程中的幾個(gè)主要步驟均發(fā)生在濃度邊界層中,包括溶質(zhì)從溶液到晶體表面的輸....
圖1爐體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖
1284人工晶體學(xué)報(bào)第42卷形狀與質(zhì)量,找出固液界面推進(jìn)速度和晶體質(zhì)量變化之間的關(guān)系,以確定晶體在不同階段合理的生長(zhǎng)速度。2晶體生長(zhǎng)過程的數(shù)值模擬2.1數(shù)值模擬模型圖1爐體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖Fig.1Structureoffurnace數(shù)值模擬的物理模型是根據(jù)實(shí)際爐體結(jié)構(gòu)、尺寸簡(jiǎn)化的二維模....
圖1 多晶硅鑄錠投料量發(fā)展預(yù)測(cè)圖[1]
目前我國鑄錠晶體硅的生產(chǎn)基本上使用G6/G7型鑄錠爐,裝料量最高達(dá)1200kg。為提高能源利用率和產(chǎn)率,G8型鑄錠爐也在開發(fā)之中,鑄錠投料量將達(dá)1400kg左右(見圖1)。但采用更大尺寸的鑄錠爐后,由于硅錠的橫向尺寸變大而高度近似不變,導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過程中硅熔體橫向流動(dòng)受阻....
本文編號(hào):4016987
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