頓悟體驗對創(chuàng)造性問題記憶及解決的影響
【學(xué)位單位】:河北大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:B842
【部分圖文】:
圖 1 本實驗共兩個階段,第一階段為問題解決階段(Chinese RAT),第二個階段為再認(rèn)階段(Testing Stage)。第一階段中讓被試解決遠(yuǎn)距離聯(lián)想測驗。再認(rèn)階段讓被試進(jìn)行新舊再認(rèn)判斷。(3) EEG 記錄采用 Brain Products 公司的腦電記錄和分析系統(tǒng),按國際 10 ~ 20 系統(tǒng)擴(kuò)展的 32導(dǎo)的銀/氯化銀電極帽記錄 EEG。在實驗記錄時,本研究采用左側(cè)乳突 TP9 為參考電極,垂直眼電 (VEOG) 由位于右眼上下眶的電極記錄,水平眼電(HEOG)由右眼外側(cè) 1 厘米處安置的電極記錄。實驗中,保證每個電極處的頭皮電阻保持在 5kΩ 以下。濾波帶寬為0.05 ~ 100Hz,連續(xù)采樣頻率為 500Hz/導(dǎo)。完成連續(xù)記錄 EEG 后離線處理數(shù)據(jù),離線處理時以雙側(cè)乳突的平均值進(jìn)行重參考。采用 16Hz 低通濾波,自動校正 VEOG 和 HEOG,運(yùn)動偽跡和其他偽跡所引起的腦電電壓超過±80μV 的腦電事件被自動剔除。(4)數(shù)據(jù)處理采用 SPSS24.0 以及 Brain Products 等對行為數(shù)據(jù)及腦電結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計分析。
圖 2 自發(fā)頓悟與非頓悟再認(rèn)時的反應(yīng)時及擊中率差異(y 軸分別代表反應(yīng)時(s)和正確率)P 分析將分析時程主要分為兩個階段,問題解決階段和再認(rèn)階段。問題
36) = 3.97, p < 0.05, = 0.18。對問題解決的晚期階段進(jìn)行分析(圖3),結(jié)果發(fā)現(xiàn),在-800~-400 ms 有顯著的半球主效應(yīng),F(xiàn) (2,36) = 20.72, p < 0.001, =0.535,右側(cè)半球的平均波幅顯著高于左側(cè)和中部,p < 0.001; p < 0.01,并且中部半球的平均波幅也顯著高于左側(cè)半球,p < 0.05。區(qū)域和半球之間存在顯著的交互作用,F(xiàn) (4,72)=7.24, p < 0.001, =0.287。事后檢驗表明:在前額葉區(qū)域,右側(cè)半球的平均電壓顯著高于中部和左側(cè)半球,p < 0.001,中部半球的平均電壓也顯著高于左側(cè)半球,p < 0.05;然而在中央?yún)^(qū)
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