發(fā)布時間：2024-10-03 02:38

　　斯格明子是一種特殊的自旋結構,它主要存在于非中心對稱的手性磁性材料以及對稱性破缺的磁性薄膜材料中,因其具有小尺寸、易被電流驅動、低能耗等優(yōu)點,成為磁信息存儲和自旋電子學器件的核心候選材料。隨著拓撲磁性和自旋電子學的發(fā)展,基于磁性斯格明子的電子學存儲器件的研究是目前微磁學領域研究的熱點,斯格明子很有希望替代鐵磁疇成為數(shù)字信息的載體�？茖W家們期待尋找到在室溫下能產(chǎn)生更小尺寸的斯格明子的材料,因為當斯格明子的尺寸越小時,如果相鄰斯格明子之間的平衡距離越小,磁性材料的存儲密度就會越大。本文從改變易軸的方向的角度出發(fā),在超薄薄膜磁性材料中模擬了斯格明子在非垂直易軸條件下的產(chǎn)生情況。探究斯格明子的尺寸和形態(tài)受磁晶各項異性的影響規(guī)律,通過改變易軸方向可以實現(xiàn)斯格明子的產(chǎn)生和湮滅。另外我們發(fā)現(xiàn)斯格明子的形態(tài)不再完全中心對稱,也就是對稱性被破壞。我們也從能量方面分析產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因,按照我們的需要給斯格明子的半徑做新的定義,對斯格明子在非垂直磁晶各項異性條件下的尺寸做近似的解析,便于理解這種狀態(tài)下的斯格明子磁矩的大致分布情況,給磁性斯格明子的理論研究提供了參考。斯格明子作為信息載體,我們也研究了易軸方向...

【文章頁數(shù)】：47 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 物質(zhì)的磁性
    1.2 磁晶各向異性相關研究現(xiàn)狀
    1.3 自旋電子學簡介
    1.4 斯格明子
        1.4.1 磁疇
        1.4.2 斯格明子
2 微磁學簡介
    2.1 各項相互作用能
    2.2 Landau–Lifshitz–Gilbert方程
    2.3 OOMMF
3 易軸的取向對斯格明子的影響
    3.1 引言
        3.1.1 斯格明子的產(chǎn)生和湮滅
        3.1.2 模擬計算模型
    3.2 模擬計算結果與分析
        3.2.1 模擬計算結果
        3.2.2 系統(tǒng)各項能量分析
        3.2.3 不同 DMI 取值和易軸偏轉角度 σ 對斯格明子的影響
    3.3 相鄰斯格明子的平衡距離
    3.4 本章小結
4 易軸的取向對斯格明子的影響解析分析
    4.1 解析推導基礎
    4.2 解析模型與公式推導
        4.2.1 一維解析模型
        4.2.2 對納米盤中產(chǎn)生的斯格明子解析分析
    4.3 易軸的取向對斯格明子的影響解析分析結果比較
        4.3.1 對斯格明子半徑的定義
        4.3.2 易軸的取向對斯格明子的影響解析分析結果比較
    4.4 誤差分析
    4.5 本章小結
5 結論與展望
參考文獻
致謝
在校期間研究成果
    一、學術成果
    二、獲獎情況



本文編號：4006654