基于微納米結(jié)構(gòu)的幾種半導(dǎo)體材料的合成及其光催化性能研究
【圖文】:
+),在電場的作用下空穴和電子對發(fā)生分離,遷移到半導(dǎo)體的表面,見圖1-1與圖1-2。圖 1-1 半導(dǎo)體材料光激發(fā)電子的主要過程Fig. 1-1 The major processes of electrons excited by light in semiconductor materials圖 1-2 半導(dǎo)體光催化機(jī)理圖[25]Fig. 1-2 Photocatalysis mechanism of Semiconductor電子和空穴對在向半導(dǎo)體表面遷移的過程中,會有一部分空穴和電子在其表面發(fā)生復(fù)合(見圖1-1過程a)或者在體相內(nèi)就發(fā)生復(fù)合(過程b);未發(fā)生復(fù)合的電子還原性很強(qiáng),遷移到表面后能還原電子接收體(過程c),而空穴遷移到表面,具有很強(qiáng)的氧化性,
只有未復(fù)合的光生電子與空穴才能進(jìn)一步生成活性自由基發(fā)生光催化反應(yīng)。因高光催化劑活性的根本途徑是提高載流子的利用率以及擴(kuò)展光響應(yīng)范圍。禁帶寬度Eg與半導(dǎo)體的光吸收波長閾值λg之間有著緊密的聯(lián)系,可通過下式進(jìn)行轉(zhuǎn)換[26]:λg (nm)=1240 / Eg (eV) (1-由公式可以看出,禁帶寬度 Eg 越大,λg 就越小。這樣產(chǎn)生的光生電子和空穴的還原電極電勢就越高。光催化反應(yīng)的能力往往取決于半導(dǎo)體光催化劑價帶導(dǎo)帶所處置,禁帶寬度,與吸附底物的氧化還原電位。導(dǎo)帶電位代表了其還原能力,價帶的代表了其氧化能力。下圖 1-3 是一些常見的半導(dǎo)體如 TiO2、ZnO、WO3、CdS、Fe2O3在 pH=0 時各半的價帶和導(dǎo)帶的位置、禁帶寬度以及相關(guān)的氧化還原電對。為了光還原化學(xué)物種,體的導(dǎo)帶必須比化學(xué)物種的還原電位更負(fù),為了光氧化化學(xué)物種,半導(dǎo)體的價帶電須比化學(xué)物種的氧化電位更正。
【學(xué)位授予單位】:華南理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:X703;O643.36;O644.1
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本文編號:2606762
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