面向氫能開發(fā)和環(huán)境凈化的氮化碳基材料研究
【文章頁數(shù)】:150 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1電解水制氫裝置圖[66]
合肥工業(yè)大學博士學位論文4酸性水溶液中:陰極反應(yīng):2He2H2陽極反應(yīng):H2O21e2OH2-2而在中性或堿性溶液中的起始反應(yīng)物是水,相應(yīng)的析氫反應(yīng)更難發(fā)生:陰極反應(yīng):OH2He2OH222陽極反應(yīng):OHO21e2OH222-電解水總反應(yīng):)g(O21)g(H)liq(OH222....
圖1.2氫能系統(tǒng)中光催化制氫的示意圖[67]
當一定波長的太陽光照射到半導體催化劑表面時,半導體價帶的電子會發(fā)生躍遷,躍遷至導帶,從而在半導體中就會形成電子-空穴對,躍遷至導帶的電子可以與水中的氫離子結(jié)合,生成氫氣。1972年,日本東京大學的兩位教授首次報道了光催化制氫技術(shù),從而奠基了利用太陽能直接分解水制氫的里程碑。自....
圖1.3半導體材料光催化反應(yīng)原理圖
第一章緒論9過程所示,來自價帶(VB)的光生電子(e-)遷移到導帶(CB),空穴(h+)則留在價帶(VB);緊接著,光生電子(e-)和空穴(h+)會遷移到半導體催化劑表面;由于導帶上的光生電子(e-)還原能力強可以作為還原劑(III過程),價帶上的空穴(h+)氧化能力強可以作為氧....
圖1.4塊體g-C3N4在500oC熱氧化蝕刻形成g-C3N4納米片過程的示意圖
Wang等[81]將粒徑為12nm的硅溶膠小球作為硬模板劑,單氰胺為前驅(qū)體,制備出比表面積可控的介孔g-C3N4(mpg-C3N4)。mpg-C3N4的比表面積隨著模板劑投加量的增加而增大,最高可到達373m2/g在可見光分解水制氫中mpg-C3N4的轉(zhuǎn)換頻率是g-C3N4的12....
本文編號:3996950
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