如今,“大數據”,“云計算”,“人工智能”等關鍵詞幾乎已經成為當今科學技術發(fā)展的代名詞。信息化、智能化已成為未來大勢所趨。存儲器作為信息的存儲媒介,在集成電路中作用巨大。然而,未來需要存儲的信息量越來越大,人們對器件的小型化要求卻越來越高,這意味著集成電路的集成密度必須大幅度提高。然而傳統(tǒng)的存儲器工藝已經無法進一步使器件縮小,這意味著傳統(tǒng)的存儲方式已經跟不上未來科學技術發(fā)展的腳步,存儲器的改良或改革已經勢在必行。阻變隨機存儲器（Resistive RAMs,RRAMs）不僅可以滿足技術發(fā)展產生的器件小型化需求,其良好的容錯性,低功耗等優(yōu)點都使其成為傳統(tǒng)存儲器的良好替代者。鐵電RRAMs作為RRAMs中出色的一員,擁有良好的可靠性和保持性等性能,廣受科研工作者們的熱捧。為了更好地理解并研發(fā)鐵電RRAMs,必須了解它們的RS（阻變）機理。然而鐵電材料中的RS機制至今仍然存在爭議。本文中,我們以鈦酸鋇（BaTiO₃）鐵電薄膜為典型,對它的RS機制進行了系統(tǒng)研究。為了得到合適的底電極,我們首先對鎳酸釤（SmNiO₃,SNO）進行了工藝優(yōu)化,發(fā)現SNO的...

【文章頁數】：79 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1(a)RRAMs單極性電阻轉換方式

電極的三明治結構。在RRAMs中常見的電阻切換方式有單極性電阻切換和雙極性電阻切換兩種。在單極性電阻轉變的切換模式中，Set和Reset進程需要的電壓極性相同。如圖1-1a所示，器件的初始態(tài)為LRS，對器件進行正壓掃描，當正壓增加到Reset電壓時，器件變成HRS。繼續(xù)增加電壓....

圖1-2多值存儲原理圖

基于上述原理，JubongPark等人通過改變Ir/TiOx/TiN結構中的Reset電壓來調節(jié)Ir/TiOx界面處的氧空位濃度從而實現多值存儲（圖1-2）[23]。圖1-2多值存儲原理圖。對于有些材料，界面處的電荷陷阱對器件電學特性的影響很大，以Au/Nb:STO(S....

圖1-3Au/NSTO結LRS和HRS的I-V特性曲線以及電子俘獲和釋放的原理圖

華東師范大學碩士學位論文帶正電的陷阱。由于帶正電荷的陷阱產生的附加電勢，固有勢壘和耗盡層寬度將會減小。因此，器件變成LRS。相反，當在Au上外加一個負電壓，Au電極中的電子被界面陷阱捕獲，界面處的肖特基勢壘將重新恢復到初始狀態(tài)，器件回到HRS[24]。

圖1-4空間電荷限制電導的理想I-V曲線

華東師范大學碩士學位論文9823(1-5)a表示施加在器件兩端的電壓，指固體的電容率。在Mott-G惟一的未知數，這個關系式通常用來描述的是本征半導體中的使用Mott-Gurney定律來描述非晶半導體和含有缺陷或者非歐，這個公式應該謹慎使用。模型....

本文編號：4021967