倒裝芯片技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中,毛細(xì)力驅(qū)動下的底填充是保護芯片免于熱-機械疲勞損壞和延長芯片使用壽命的封裝工藝。填充材料所受的毛細(xì)壓是影響底填充過程的關(guān)鍵因素。毛細(xì)壓不但與芯片和基板間的間隙、焊球直徑以及焊球間距有關(guān),還與焊球的排布形式有關(guān)。相比于正四邊形排布,焊球正六邊形排布的倒裝芯片不但具有更高的輸入/輸出容量,而且具有更大的抗載荷能力。所以研究焊球正六邊形排布情況下底填充的毛細(xì)壓具有重要的工程價值。在已有的焊球正四邊形排布情況下平均毛細(xì)壓計算方法的基礎(chǔ)上,通過進一步分析焊球正六邊形排布的結(jié)構(gòu)特點和底填充過程,建立了與之相適應(yīng)的平均毛細(xì)壓計算模型。本文的主要工作和成果如下:(1)根據(jù)焊球呈正六邊形排布的結(jié)構(gòu)特點,依據(jù)力平衡的原則及質(zhì)量守恒定律對底填充過程進行了分階段研究,著重分析了接觸線跳躍量和填充面積的計算方法,針對焊球在大間距區(qū)域和小間距區(qū)域的情況分別建立了相應(yīng)的平均毛細(xì)壓數(shù)學(xué)模型。在此基礎(chǔ)上,通過比較進一步分析了焊球排布形式和填充方向?qū)ζ骄�毛�?xì)壓的影響。(2)根據(jù)底填充實驗的可視化要求,設(shè)計制作了焊球正六邊形排布的倒裝芯片透明試樣。試樣的基板和芯片用透明的二氧化硅代替,焊...

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 封裝技術(shù)
        1.2.1 封裝工藝簡介與倒裝芯片封裝技術(shù)
        1.2.2 底填充工藝簡介
    1.3 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.3.1 底填充過程的毛細(xì)壓
        1.3.2 底填充過程的滲透率
        1.3.3 實驗研究
        1.3.4 存在的問題
    1.4 本文的研究內(nèi)容
第2章 底填充平均毛細(xì)壓的解析模型
    2.1 引言
    2.2 臨界間距的計算
    2.3 大間距排布時平均毛細(xì)壓的計算
        2.3.1 底填充流動過程的分階段分析
        2.3.2 填充量模型的建立
        2.3.3 接觸線跳躍量的計算
        2.3.4 平均毛細(xì)壓模型的建立
    2.4 小間距排布時平均毛細(xì)壓的計算
        2.4.1 底填充流動過程的分階段分析
        2.4.2 填充量模型的建立
        2.4.3 接觸線跳躍量的計算
        2.4.4 平均毛細(xì)壓模型的建立
    2.5 焊球正六邊形排布平均毛細(xì)壓的方向性
    2.6 平均毛細(xì)壓的對比
        2.6.1 不同間距情況下平均毛細(xì)壓的對比
        2.6.2 不同流動方向下平均毛細(xì)壓的對比
    2.7 本章小結(jié)
第3章 底填充流動的實驗研究
    3.1 引言
    3.2 芯片試樣的制作
        3.2.1 SOG與光刻技術(shù)
        3.2.2 試樣的改進與制作
    3.3 底填充實驗平臺的搭建
        3.3.1 總體實驗方案的設(shè)計
        3.3.2 實驗設(shè)備介紹
        3.3.3 底填充材料屬性的測定
        3.3.4 底填充方案的設(shè)計
    3.4 底填充實驗
        3.4.1 實驗試樣信息
        3.4.2 實驗步驟
        3.4.3 實驗結(jié)果
    3.5 本章小結(jié)
第4章 平均毛細(xì)壓解析模型的驗證
    4.1 引言
    4.2 底填充過程的數(shù)學(xué)模型
    4.3 底填充過程的滲透率
    4.4 解析模型的驗證
    4.5 本章小結(jié)
第5章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻
致謝
附錄 攻讀碩士期間的主要成果



本文編號：4023080