PTCDI-C13 N型薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能及其應(yīng)用研究
發(fā)布時(shí)間:2024-06-02 09:31
由于柔性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管在可穿戴、便攜式等電子學(xué)方面的重要應(yīng)用,使其受到研究者的廣泛關(guān)注。然而,相比于p型柔性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,n型柔性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展相對(duì)滯后,性能較低,穩(wěn)定性較差,且n型有機(jī)半導(dǎo)體的種類相對(duì)較少。鑒于n型有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電子電路及光電子電路等方面的重要應(yīng)用,因此,穩(wěn)定的n型柔性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展是十分必要的。其中,PTCDI-C13作為商業(yè)化的n型小分子材料,具有良好的電學(xué)、光電學(xué)性能以及優(yōu)異的穩(wěn)定性。本論文基于真空氣相沉積法獲得了高質(zhì)量的PTCDI-C13有機(jī)薄膜,制備PTCDI-C13有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并研究其柔性器件電學(xué)性能和光電性能。主要內(nèi)容如下:1.利用真空氣相沉積法制備PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并通過優(yōu)化絕緣層以及半導(dǎo)體的沉積條件,獲得高性能穩(wěn)定的PTCDI-C13薄膜晶體管。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,當(dāng)PTCDI-C13沉積的襯底溫度為45℃,沉積速率為0.05?/s時(shí),在PMMA、PVA和c-PVA三種柔性聚合物絕緣層上能夠獲得薄膜晶體管的最優(yōu)場(chǎng)效應(yīng)性能;且基于PMMA絕緣層制備的薄膜晶體管具有更高的場(chǎng)效應(yīng)性能和更好的操作穩(wěn)定性,器件的...
【文章頁數(shù)】:63 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介
1.2.1 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理
1.2.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)
1.2.3 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本參數(shù)
1.3 有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及性能優(yōu)化
1.4 超柔性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展現(xiàn)狀
1.5 本論文的主要工作及選題意義
第二章 PTCDI-C13 n型有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及其性能優(yōu)化
2.1 引言
2.2 PTCDI-C13材料介紹
2.3 PTCDI-C13 n型有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能研究
2.3.1 基于不同絕緣層制備的PTCDI-C13 n型OTFT性能研究
2.3.2 優(yōu)化PTCDI-C13在不同絕緣層上的沉積條件以優(yōu)化薄膜器件性能
2.4 PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的操作穩(wěn)定性
2.5 本章小結(jié)
第三章 超薄柔性PTCDI-C13有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備及性能研究
3.1 引言
3.2 PTCDI-C13在單層、雙層絕緣層上薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電學(xué)性能研究
3.3 以PMMA為絕緣層,PVA為支撐層的超薄柔性PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及性能研究
3.3.1 超薄柔性PTCDI-C13有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備
3.3.2 大面積超薄柔性PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管基本性能研究
3.3.3 超薄柔性PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管彎曲性能研究
3.4 以PMMA/PVA雙層絕緣層且無支撐層的PTCDI-C13薄膜晶體管的制備及性能研究
3.4.1 以PMMA/PVA雙層絕緣層,無支撐層的PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備
3.4.2 以PMMA/PVA為絕緣層制備PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管在三維球面上基本性能研究
3.4.3 超薄柔性PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管褶皺性能研究
3.5 本章小結(jié)
第四章 超薄柔性PTCDI-C13薄膜光晶體管性能研究
4.1 引言
4.2 PTCDI-C13薄膜光晶體管的基本光響應(yīng)性能研究
4.3 超薄柔性大面積PTCDI-C13薄膜光晶體管的性能研究
4.4 超薄柔性PTCDI-C13薄膜光晶體管的彎曲性能研究
4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝
在學(xué)期間發(fā)表的論文、申請(qǐng)專利及參加會(huì)議情況
本文編號(hào):3987150
【文章頁數(shù)】:63 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介
1.2.1 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理
1.2.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)
1.2.3 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本參數(shù)
1.3 有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及性能優(yōu)化
1.4 超柔性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展現(xiàn)狀
1.5 本論文的主要工作及選題意義
第二章 PTCDI-C13 n型有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及其性能優(yōu)化
2.1 引言
2.2 PTCDI-C13材料介紹
2.3 PTCDI-C13 n型有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能研究
2.3.1 基于不同絕緣層制備的PTCDI-C13 n型OTFT性能研究
2.3.2 優(yōu)化PTCDI-C13在不同絕緣層上的沉積條件以優(yōu)化薄膜器件性能
2.4 PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的操作穩(wěn)定性
2.5 本章小結(jié)
第三章 超薄柔性PTCDI-C13有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備及性能研究
3.1 引言
3.2 PTCDI-C13在單層、雙層絕緣層上薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電學(xué)性能研究
3.3 以PMMA為絕緣層,PVA為支撐層的超薄柔性PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及性能研究
3.3.1 超薄柔性PTCDI-C13有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備
3.3.2 大面積超薄柔性PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管基本性能研究
3.3.3 超薄柔性PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管彎曲性能研究
3.4 以PMMA/PVA雙層絕緣層且無支撐層的PTCDI-C13薄膜晶體管的制備及性能研究
3.4.1 以PMMA/PVA雙層絕緣層,無支撐層的PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備
3.4.2 以PMMA/PVA為絕緣層制備PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管在三維球面上基本性能研究
3.4.3 超薄柔性PTCDI-C13薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管褶皺性能研究
3.5 本章小結(jié)
第四章 超薄柔性PTCDI-C13薄膜光晶體管性能研究
4.1 引言
4.2 PTCDI-C13薄膜光晶體管的基本光響應(yīng)性能研究
4.3 超薄柔性大面積PTCDI-C13薄膜光晶體管的性能研究
4.4 超薄柔性PTCDI-C13薄膜光晶體管的彎曲性能研究
4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
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在學(xué)期間發(fā)表的論文、申請(qǐng)專利及參加會(huì)議情況
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