發(fā)布時間：2024-07-04 23:20

　　金屬微納結構在微納電子器件、metamaterials、MEMS、SERS重要等方面具有重要應用,因此,金屬微納結構的加工制造技術是目前研究的熱點。激光光鑷微納直寫技術在高分辨金屬微納結構,特別是復雜三維金屬直寫方面具有應用潛力。為了進一步提高目前激光光鑷微納直寫技術的加工分辨率,實現(xiàn)三維結構的激光光鑷直寫,我們在合成銀納米顆粒的基礎上,以飛秒激光作為光源對激光光鑷直寫銀微納結構的影響因素及控制機制進行了研究,并對三維結構的直寫進行了初步探索。首先,在銀納米顆粒合成及表征測試的基礎上,利用800 nm飛秒激光光鑷捕獲水中分散的銀納米顆粒,對激光焦點高度、激光功率、掃描速度等對銀微納結構直寫的影響進行研究;通過合理選擇和調(diào)控激光參數(shù)實現(xiàn)了最小線寬為305 nm的銀線的直寫;并對銀線的導電性能進行測試,所直寫的銀線電阻率為塊體銀的25倍左右,具備良好的導電性能。其次,通過改進實驗平臺,采用不同波長激光光鑷直寫銀線,并結合理論計算對激光波長對銀線直寫影響進行系統(tǒng)的研究。在激光波長為700 nm時,利用激光光鑷直寫獲得了最小線寬為286 nm的銀線。最后,利用飛秒激光光鑷直寫加工了方形網(wǎng)格、菱...

【文章頁數(shù)】：51 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.4a)微溝道電極內(nèi)制備微納銀線掃描電鏡（SEM）圖片b)微納銀線的電流電壓線性關系圖c)微納銀線的原子力（AFM）圖d)微納銀線的剖面圖

高分辨率有幫助。正如之前提到的Duan等人通過引入生長還原阻滯劑來提辨率，為了避免對導電性的影響，如果能找到具有導電特性的有機包覆劑是一個好的選擇。2.3.2導電性問題為了解決以往研究中激光直寫制備金屬微納結構導電性和形貌可控的，我們采用基于銀氨絡合離子和檸檬酸鈉溶液的前驅(qū)....

圖1.1(a)H.Sun等制備T型柵[8]；(b)Y.Son制備OFET電極的SEM圖[9]

加工技術的發(fā)展，構成微納電子器件的主要特征尺寸已經(jīng)達到納米量級，并不斷向前推進。高電子遷移率晶體管(HEMT)在星際通信以及軍事方面有著重要應用。對其而言，T型柵是決定性能的關鍵部件，圖1.1(a)為2010年H.Sun等報道的通過電子束曝光技術在AlInGa/GaN上制....

圖1.2在三維的蛋白質(zhì)腔室中直寫鉑的微納結構，催化產(chǎn)生的氣體實現(xiàn)小球輸運過程[10]

1.2.2MEMSMEMS是Micro-Electro-MechanicalSystems的首字母縮寫，是隨著微細加工技術和超精密機械加工技術的發(fā)展而發(fā)展起來的。目前MEMS結構與器件已經(jīng)被應用到汽車、電子、通信、醫(yī)療等方面。2012年，美國哈佛大學的L.D.....

圖1.3H.Kim等制備的開口諧振環(huán)結構的：(a)-(c)SEM圖；(d)-(e)透射光譜[19]

.Kim等制備的開口諧振環(huán)結構的：(a)-(c)SEM圖；(d)-(e)透射等微納結構具有很好的拉曼信號增強能力，所以它們在RS）方面具有重要的應用。吉林大學的B.B.Xu等人[8]還原直寫集成了銀的納米結構襯底[如圖1.4(a)和(b)左.4(a)為在銀襯底的....

本文編號：4000682