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利用低溫原子層沉積實現(xiàn)柔性有機電致發(fā)光器件的薄膜封裝技術(shù)研究

發(fā)布時間:2018-04-08 10:50

  本文選題:有機電致發(fā)光二極管 切入點:遠程等離子增強原子層沉積 出處:《吉林大學(xué)》2017年碩士論文


【摘要】:有機電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Device,OLED)以其具備色域?qū)挕⒁暯菑V、對比度高、響應(yīng)快、功耗低以及適用于柔性襯底等特點,在顯示和照明領(lǐng)域有著十分廣闊的應(yīng)用前景。但是,OLED技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的過程中仍然面臨著諸多亟待解決的困難。OLED中有機材料和金屬電極易受空氣中的水汽和氧氣腐蝕而失去功能性是阻礙OLED發(fā)展的重要問題之一。本論文主要探究柔性O(shè)LED封裝的問題。我們利用遠程等離子增強型原子層沉積(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition,PEALD)技術(shù)制備ZrO2薄膜結(jié)合分子層沉積技術(shù)(Molecular Layer Deposition,MLD)制備zircone,獲得高效的具有疊層結(jié)構(gòu)的封裝薄膜。首先,在研究ZrO2薄膜的生長過程中,我們利用原位質(zhì)譜儀和原位晶振儀探究了薄膜沉積時的表面化學(xué)反應(yīng)和薄膜沉積狀態(tài)。通過原位質(zhì)譜儀發(fā)現(xiàn),在通入氧等離子過程中,腔體內(nèi)的氣氛中檢測到H2O,CO,NO以及CO2的產(chǎn)生?梢酝茰y腔體內(nèi)發(fā)生類似燃燒的化學(xué)反應(yīng),從而證明利用高活性氧等離子體作為前軀體在低溫下制備ZrO2的可行性。同時,通過原位晶振儀觀測到的薄膜穩(wěn)定的生長狀態(tài),清晰的表現(xiàn)出薄膜表面自限制生長的過程。有趣的是,在我們實驗中發(fā)現(xiàn),當(dāng)生長溫度高于200oC,ZrO2薄膜中會生成一定量的腈化物(-CN),影響ZrO2的生長速率。同時,成功的在80oC的低溫下,制備性能優(yōu)異的ZrO2封裝薄膜。為了優(yōu)化封裝薄膜的水氧阻隔性能,我們引入了zircone薄層制備有機/無機疊層結(jié)構(gòu)封裝薄膜。為此分別制作了四種不同結(jié)構(gòu)的薄膜,可以發(fā)現(xiàn)隨著嵌入zircone的層數(shù)變得密集,封裝薄膜的表面形貌變得更加平緩。為了驗證封裝薄膜的性能,我們對四種不同結(jié)構(gòu)的薄膜進行了水汽透過率測試和器件的壽命測試。并且獲得最好的封裝薄膜的水汽透過率低至3.08×10-5g.m-2.day-1,制備在PET襯底上的封裝器件的連續(xù)點亮壽命達到182小時。這比之前利用水和臭氧作為前軀體有了很大的提高。
[Abstract]:Organic Light-Emitting device Ole (Organic Light-Emitting device) has wide color gamut, wide viewing angle, high contrast, fast response, low power consumption and suitable for flexible substrate.However, in the process of industrialization of OLED technology, there are still many difficulties to be solved. It is one of the important problems that hinder the development of OLED that organic materials and metal electrodes are vulnerable to water vapor and oxygen corrosion in the air and lose their functionality.This paper mainly explores the problem of flexible OLED encapsulation.Zirconeal films were prepared by remote plasma Enhanced Atomic Layer deposition (PEALDD) and molecular layer deposition (MLDs) technique. High efficient encapsulated films with stacked structure were obtained.Firstly, in the study of the growth process of ZrO2 thin films, the chemical reaction on the surface and the deposition state of the films were investigated by in situ mass spectrometer and in situ crystal oscillator.By in situ mass spectrometer it was found that the production of CO2 and CO2 were detected in the atmosphere of the cavity in the process of oxygen plasma.It can be speculated that chemical reaction similar to combustion takes place in the chamber, which proves the feasibility of preparing ZrO2 by using high reactive oxygen species plasma as precursor at low temperature.At the same time, the stable growth state of the thin film observed by in situ crystal oscillator clearly shows the process of self-limiting growth on the film surface.Interestingly, we found that when the growth temperature is higher than 200oC / ZrO _ 2 film, a certain amount of nitrilides can be formed, which affects the growth rate of ZrO2.At the same time, ZrO2 packaging films with excellent performance were successfully prepared at low temperature of 80oC.In order to optimize the water and oxygen barrier performance of the encapsulated thin films, zircone thin layer was introduced to prepare organic / inorganic laminated packaging films.For this reason, four kinds of thin films with different structures were prepared, and it was found that the surface morphology of the encapsulated films became more smooth as the number of layers embedded in the zircone became denser.In order to verify the performance of the encapsulated films, the water vapor transmittance and the lifetime of the devices were measured for four kinds of films with different structures.The water vapor transmittance of the best encapsulated film is as low as 3.08 脳 10 ~ (-5) g 路m ~ (-2) day-1, and the continuous lighting lifetime of the packaging device fabricated on PET substrate is up to 182 hours.This is a significant improvement over the previous use of water and ozone as precursors.
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TN383.1

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本文編號:1721281

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