發(fā)布時(shí)間：2025-01-04 04:47

　　高溫壓電傳感技術(shù)在航空航天和核電能源等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。為確保結(jié)構(gòu)健康檢測(cè)(Structure Health Monitoring,SHM)系統(tǒng)中壓電傳感器件的正常運(yùn)行,其核心壓電材料必須能夠長(zhǎng)期承受650℃以上的溫度,并保持良好的壓電活性及性能穩(wěn)定性。相比于壓電陶瓷材料,壓電單晶的介電損耗小,電彈性能穩(wěn)定,在高溫壓電傳感技術(shù)領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著。眾多壓電晶體材料當(dāng)中,RECa4(BO3)3(RE:Y和稀土元素,RECOB)晶體擁有高的熔點(diǎn)、高的電阻率、低的介電損耗和適中的壓電活性,具有明朗應(yīng)用前景。高溫環(huán)境用壓電傳感器常伴有許多其它嚴(yán)苛環(huán)境,如低氣壓或強(qiáng)輻照等,將影響壓電晶體的電彈性能穩(wěn)定性。為探索嚴(yán)苛使役環(huán)境下性能可靠的壓電晶體材料,滿足研制特種壓電傳感器的要求,本論文對(duì)嚴(yán)苛環(huán)境下RECOB晶體的電彈性能及其穩(wěn)定性進(jìn)行了對(duì)比研究,設(shè)計(jì)了新晶體材料并通過(guò)原型器件驗(yàn)證方式對(duì)其性能進(jìn)行了表征。主要工作包括:(1)利用提拉法生長(zhǎng)了不同種類的RECOB晶體,包括YCOB、GdCOB、Y0.85Gd0.15COB、Y0.32Gd0.68COB 和Y0.92Nd0.08COB 等晶體。借助 X 射線粉末衍...

【文章頁(yè)數(shù)】：193 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１－１高溫壓電材料最大壓電常數(shù)及對(duì)應(yīng)的最高使用溫度??鈮酸鋰（ＬｉＮｂ０３，?ＬＮ）晶體屬于三方晶系，３ｍ點(diǎn)群

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圖２－１提拉法生長(zhǎng)晶體示意圖??其中１－７分別為籽晶桿、上保溫磚、剛玉罩、籽晶、晶體、Ｉｒ坩堝和下保溫??

?山東大學(xué)博士學(xué)位論文???第二章ＲＥＣＯＢ系列晶體的提拉法生長(zhǎng)及品質(zhì)表征??２．１引言??１９１６年，Ｊ．?Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ發(fā)明／一種快速生長(zhǎng)大尺寸晶體的新技術(shù)－提拉法，??１９１８年，在辦／故／３〃訴．／加／７／？＞＾７無(wú)３／＾（：如￡７＾？７？＞雜志上發(fā)表論文，介紹了....

圖２－２多晶合成用高溫?zé)�結(jié)爐（ＫＳＳ－１７００°Ｃ）??２．２．２?ＲＥＣＯＢ單晶生長(zhǎng)??

?山東大學(xué)博士學(xué)位論文???ＫＳＳ－１７００?°Ｃ，能長(zhǎng)時(shí)間升高到１７００°Ｃ，如圖２－２所示。??Ｉ?ＨＩ?＾?ｊ??■?ＬＪ?Ｊ??■?□□ｓ＊?ＭＭ??窩遙節(jié)能電爐??■ｋ??圖２－２多晶合成用高溫?zé)�結(jié)爐（ＫＳＳ－１７００°Ｃ）??２．２．２?ＲＥＣＯＢ單晶生長(zhǎng)??ｉ．?Ｙ....

圖２－３高溫單晶生長(zhǎng)爐，爐腔內(nèi)徑４０?ｃｍ?（ａ）和爐腔內(nèi)徑８０?ｃｍ?（ｂ）??

?山東大學(xué)博士學(xué)位論文???中，籽晶里的缺陷會(huì)遺留到后續(xù)生長(zhǎng)的晶體中且將引起更多的微觀缺陷。當(dāng)??在晶體生長(zhǎng)初始階段，對(duì)稈晶進(jìn)行收徑處理可有效抑制后續(xù)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中??缺陷的延續(xù)和擴(kuò)散；??（Ｃ）放肩：它是在收徑結(jié)束后進(jìn)行，目的是擴(kuò)大所晶體生長(zhǎng)的直徑。放肩的程??度需根據(jù)所生長(zhǎng)晶....

本文編號(hào)：4022925