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溶液流延法制備PVB基導(dǎo)電梯度功能材料的形成機制研究

發(fā)布時間:2020-03-04 21:55
【摘要】:聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料(Conductive Polymeric Composites,簡稱CPCs)具有電阻可調(diào)、加工性能良好、成本低廉等特點,在導(dǎo)電聚合物材料中占據(jù)主要地位。目前,復(fù)合型導(dǎo)電材料大多數(shù)都為均質(zhì)結(jié)構(gòu),需要高的導(dǎo)電粒子填充量才能實現(xiàn)其導(dǎo)電性能的逾滲轉(zhuǎn)變,這不可避免地導(dǎo)致材料力學(xué)性能的大幅度下降。本課題將“梯度”的概念引入填充復(fù)合型聚合物導(dǎo)電材料中,將材料的“導(dǎo)電”性能和“梯度結(jié)構(gòu)”巧妙地結(jié)合起來,借助Stokes原理,運用溶液流延法制備了金屬填充型聚合物基梯度功能材料,很好地解決了力學(xué)性能和電學(xué)性能間的突出矛盾。 本論文以聚乙烯醇縮丁醛(polyvinyl butyral,簡稱PVB)為溶質(zhì),乙醇為溶劑,制備了不同濃度的溶液,并對該溶液的特性、填充粒子在溶液中的沉降行為,以及材料的梯度形成機制進行了研究。結(jié)果表明,粒子在PVB/乙醇溶液中的沉降速度受溶液濃度、溶劑揮發(fā)速率、粒徑、粒子與溶液的密度差等因素的影響;其沉降行為可以近似地用Stokes方程進行描述;實際沉降速度ν_m與理論沉降速度ν_t的關(guān)系式為:νm=A+Bν_t;理論推導(dǎo)表明,臨界粘度η_c可用下式計算:對于PVB/Cu/乙醇體系,梯度成型的臨界濃度C_c約為0.27。 借助于上述方法,本文分別以Cu、Ni等導(dǎo)電粒子為填料,制備了一系列PVB基導(dǎo)電梯度功能材料,考查了粒子含量及粒子形狀等因素對材料結(jié)構(gòu)和性能的影響。材料橫斷面的掃描電鏡(SEM)照片和能譜(EDS)掃描證明,填料在材料橫斷面垂直方向上呈梯度分布,說明本方法能成功制備聚合物基梯度材料。電學(xué)性能研究結(jié)果表明,材料兩側(cè)在導(dǎo)電性能上有重大差別,富含樹脂一側(cè)的表面電阻率始終保持在10~16Ω左右的數(shù)量級,而富含導(dǎo)電粒子的一側(cè)的表面電阻率降為10~6Ω數(shù)量級左右,電性能的逾滲轉(zhuǎn)變發(fā)生在導(dǎo)電填料含量為3.0~4.5vol.%之間,而達到同等導(dǎo)電水平的均質(zhì)復(fù)合導(dǎo)電材料的逾滲值約在16vol.%左右。力學(xué)性能研究結(jié)果表明,材料的力學(xué)性能隨填料含量的增加下降幅度較小,與均質(zhì)導(dǎo)電復(fù)合材料隨導(dǎo)電填料含量增加而下降的現(xiàn)象有明顯區(qū)別。電磁屏蔽效能測試表明,所制備材料具有良好的電磁屏蔽效能,其屏蔽效能約在30-51dB。 研究結(jié)果表明,以Stokes法則為理論指導(dǎo),運用溶液流延技術(shù),一步成型梯度材料的方法,,是制備填充型聚合物基梯度功能材料的一條新途徑。用本方法制備的聚合物基導(dǎo)電梯度功能材料能有效兼顧材料的電性能和力學(xué)性能。
【圖文】:

組分分布


1.2 梯度功能材料的產(chǎn)生與發(fā)展人類應(yīng)用功能梯度材料已有幾千年的歷史,但這種應(yīng)用并不是一種有意識2]。直到 1956 年,Goetzel 等應(yīng)用浸透法制作了金屬陶瓷復(fù)合材料,其中包括研究梯度功能材料的思想方法[1];1972 年,Bever 和 Duwez[3,4]提出了使材料梯度變化的一些建議,由此形成了梯度材料這一概念,但并沒有以一種規(guī)范 1.1 FGM 的結(jié)構(gòu)和組分分布示意(□A 相物質(zhì);■B 相物質(zhì))圖 1.2 FGM 的性能分布示意①組分 A 的物性 ②組分 B 的物

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1.2 梯度功能材料的產(chǎn)生與發(fā)展人類應(yīng)用功能梯度材料已有幾千年的歷史,但這種應(yīng)用并不是一種有意識2]。直到 1956 年,Goetzel 等應(yīng)用浸透法制作了金屬陶瓷復(fù)合材料,其中包括研究梯度功能材料的思想方法[1];1972 年,Bever 和 Duwez[3,4]提出了使材料梯度變化的一些建議,由此形成了梯度材料這一概念,但并沒有以一種規(guī)范 1.1 FGM 的結(jié)構(gòu)和組分分布示意(□A 相物質(zhì);■B 相物質(zhì))圖 1.2 FGM 的性能分布示意①組分 A 的物性 ②組分 B 的物
【學(xué)位授予單位】:北京工商大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號】:TB34;TB33

【參考文獻】

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1 李春華;齊暑華;張劍;王東紅;武鵬;;導(dǎo)電高分子在電磁屏蔽材料中的應(yīng)用[J];工程塑料應(yīng)用;2005年11期

2 汝強,胡社軍,胡顯奇,邱秀麗,盛鋼,王明;電磁屏蔽理論及屏蔽材料的制備[J];包裝工程;2004年05期

3 譚松庭,章明秋,曾漢民;屏蔽 EMI 用導(dǎo)電性高分子復(fù)合材料[J];材料工程;1998年05期

4 潘玉s

本文編號:2584849


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