大功率高頻電波加熱電離層建模及數(shù)值仿真研究
【學位單位】:國防科技大學
【學位級別】:碩士
【學位年份】:2017
【中圖分類】:P352
【部分圖文】:
國防科技大學研究生院碩士學位論文離層加熱模擬二章建立的低電離層加熱模型對幾次不同初始條件的加熱過程進行果分析了不同參數(shù)電波及背景電離層條件下加熱引起低電離層電子的差異。離層加熱模擬二章建立的高電離層加熱模型結合射線追蹤程序?qū)状尾煌跏紬l值模擬,并根據(jù)結果分析了不同參數(shù)電波及背景電離層條件下加熱度和電子密度擾動的差異。與展望要工作及結論進行闡述,列出了本文的創(chuàng)新點及不足之處,并對下和重點做出規(guī)劃。圖如下:
(a) (b)圖 3. 1 背景場電子溫度(a)及電子密度(b)高度分布3.1.2 數(shù)值模擬及結果分析取入射電波頻率為 9MHz,有效輻射功率為 200MW 的 O 波模,分別以斜向 45°和90°垂直入射電離層,經(jīng)過 5ms 后電子溫度和數(shù)密度的改變量的對比如圖 3.2 所示。(a) (b)
國防科技大學研究生院碩士學位論文(a) (b)圖 3. 1 背景場電子溫度(a)及電子密度(b)高度分布3.1.2 數(shù)值模擬及結果分析取入射電波頻率為 9MHz,有效輻射功率為 200MW 的 O 波模,分別以斜向 45°和90°垂直入射電離層,經(jīng)過 5ms 后電子溫度和數(shù)密度的改變量的對比如圖 3.2 所示。
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