將脈沖射流應用于采用射流循環(huán)的DTB結晶器,并使用CFD數(shù)值模擬研究了在不同頻率的正弦脈沖射流帶動下結晶器內(nèi)產(chǎn)生的周期性流動以及顆粒循環(huán)量的差別。結果表明,脈沖射流循環(huán)進料方式,導致導流筒下半部產(chǎn)生周期性的流場特征,并且脈沖射流使得導流筒入口具有更強卷吸作用,因而較恒定流量射流進料的情形,脈沖射流進料具有更高的顆粒循環(huán)能力;另外,當隨著脈沖頻率從2.5 Hz到40 Hz范圍變化,顆粒的循環(huán)量呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,這表明其中存在最佳的脈沖頻率,使得顆粒循環(huán)量比未采用脈沖進料的情形增量最大,本例中較恒定射流提升10.8%。

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【部分圖文】：

Fig.1Two-dimensionalandthree-dimensionalmodelsofpulsed-jetcrystallizerandliquidflow圖1射流結晶器二維及三維模型和料液流動情況

320計算機與應用化學2019,36(4)較單相流模擬下不同網(wǎng)格數(shù)目的喉管入口處質量速率，綜合考慮計算精度和資源占用，選擇網(wǎng)格數(shù)為12.3萬為合適的劃分方法。Fig.1Two-dimensionalandthree-dimensionalmodelsofpulsed-jetcry....

Fig.2Gridofpulsed-jetcrystallizer圖2射流結晶器網(wǎng)格劃分表1網(wǎng)格無關性分析

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Fig.3Axialvelocitydistributionatdifferentinletsofthethroattube圖3喉管入口段不同時間下軸向速度分布情況

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Fig.4Theparticlemassflowrateoftheinletsectionofthethroattubechangeswithtime圖4喉管入口段顆粒相質量流率隨時間變化情況

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本文編號：4046344