發(fā)布時(shí)間：2020-12-05 04:43

　　阻變存儲(chǔ)器（RRAM）因具有低功耗、高密度、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且易與CMOS工藝兼容等特點(diǎn)成為了下一代最具潛力的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器之一。阻變存儲(chǔ)器的阻變（RS）機(jī)理主要分為兩大類,一類通過導(dǎo)電細(xì)絲的形成與熔斷完成器件阻值轉(zhuǎn)變;另一類則通過調(diào)節(jié)金屬/薄膜界面勢(shì)壘高度形成阻變。無論哪種阻變機(jī)制,缺陷與陷阱在其中均扮演著重要的角色。通過改善薄膜內(nèi)的陷阱狀態(tài),我們可以得到性能更優(yōu),可靠性更好的阻變存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器使用過程中缺陷的產(chǎn)生、移動(dòng)等問題同樣影響著器件性能,縮短了器件使用壽命。為了實(shí)現(xiàn)阻變存儲(chǔ)器工業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),研究學(xué)者們針對(duì)阻變存儲(chǔ)器中陷阱的作用機(jī)制展開了廣泛的研究,對(duì)器件內(nèi)陷阱的表征分析進(jìn)行了深入的探索。本文主要針對(duì)鐵電阻變存儲(chǔ)器中的缺陷陷阱進(jìn)行研究。通過對(duì)器件中的陷阱進(jìn)行原位表征分析,探究阻變過程中陷阱的作用機(jī)制,理解器件鐵電阻變機(jī)理。通過對(duì)存儲(chǔ)器可靠性參數(shù)分析,理解缺陷與陷阱的變化對(duì)存儲(chǔ)器性能的影響,提出改善器件性能的方案,為實(shí)現(xiàn)阻變存儲(chǔ)器的商業(yè)化應(yīng)用打下基礎(chǔ)。具體研究?jī)?nèi)容如下:（1）實(shí)驗(yàn)樣品為Au/BiFeO₃/SrRuO₃三明治結(jié)構(gòu)基本阻變存儲(chǔ)單... 

【文章來源】：北京工業(yè)大學(xué)北京市 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：49 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

BFO樣品結(jié)構(gòu)剖面圖

北京工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩這些自由載流子電荷會(huì)在不影響陷阱填充狀漂移運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生可以反映陷阱狀態(tài)變化的瞬部分是測(cè)量薄膜器件由電子躍遷產(chǎn)生的瞬態(tài)時(shí)間常數(shù)進(jìn)行分析表征。2.2.2 鐵電薄膜陷阱能級(jí)測(cè)量方法為了測(cè)量鐵電薄膜的陷阱能級(jí)，我們首每次測(cè)量之前，為了確保測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性壓，以清空薄膜內(nèi)陷阱中的載流子電荷，使

1 10 100ime (s)(a)36 7.51/kBT (（21-50℃）的瞬態(tài)電流曲線，（b）根據(jù)阿侖尼數(shù)進(jìn)行激活能擬合ent transients for temperatures from 21 to 50 ℃. (c)ime constant extracted from the current transient法驗(yàn)證電流法測(cè)量陷阱能級(jí)的正確性，我們 current, TSC)實(shí)驗(yàn)探測(cè)了薄膜內(nèi)陷阱的激活了一個(gè) 15V 的電壓，使陷阱被載流子電荷下將樣品冷卻到 100K，最后以 0.5K/min 的同時(shí)測(cè)量熱激發(fā)電流。樣品 BFO-1 測(cè)量結(jié)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]器件尺寸縮小的挑戰(zhàn)[J]. 吳大可,甘學(xué)溫.  中國(guó)集成電路. 2005(03)

碩士論文
[1]新型阻變存儲(chǔ)器用鐵酸鉍薄膜阻變性能與機(jī)理的研究[D]. 張迎俏.北京工業(yè)大學(xué) 2017



本文編號(hào)：2898896