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光電子材料鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光過程研究分析.pdf

發(fā)布時(shí)間:2016-08-14 07:04

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文檔介紹:
廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文光電子材料鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光過程研究姓名:杜宏偉申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):機(jī)械制造及其自動(dòng)化指導(dǎo)教師:魏昕20040601摘要鉭酸鋰是近年來隨著通訊、信息產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展而開發(fā)并產(chǎn)業(yè)化的新型光電子材料。它具有機(jī)電耦合系數(shù)大、低損耗、高溫穩(wěn)定性、高頻性能好等優(yōu)良的壓電、電光和熱電性能。目前,鉭酸鋰晶片的超精密加工技術(shù)的研究還很欠缺,實(shí)際生產(chǎn)中通常采用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)進(jìn)行加工。本論文通過對鉭酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光過程的實(shí)驗(yàn)研究和拋光運(yùn)動(dòng)軌跡的理論分析,研究鉭酸鋰晶片的拋光加工特性,探討鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)理,系統(tǒng)分析主要工藝參數(shù)對化學(xué)機(jī)械拋光過程的影響規(guī)律。1.采用化學(xué)腐蝕實(shí)驗(yàn)方法研究拋光液中氧化劑種類和濃度以及拋光液pH值對鉭酸鋰晶片化學(xué)去除的影響。尋找有效的氧化劑及其合適的濃度,確定合理的穩(wěn)定劑及拋光液的適當(dāng)pH值。次***酸鈉和過氧化氫是鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光液中有效的氧化劑,無機(jī)堿氫氧化鉀是有效的穩(wěn)定劑,pH值為10適合于鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光。2.通過單顆粒金剛石壓入鉭酸鋰晶片光滑表面的劃痕實(shí)驗(yàn),研究鉭酸鋰晶片的機(jī)械力學(xué)性能和斷裂破壞情況,尋找合理的拋光壓力。適合鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光的拋光... 內(nèi)容來自轉(zhuǎn)載請標(biāo)明出處.


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本文編號:93506

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