本文關(guān)鍵詞：ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

介紹了化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)在大規(guī)模集成電路多層互連工藝中的重要作用,對CMP過程和CMP的影響因素進(jìn)行簡單分析。總結(jié)出CMP技術(shù)在多層互聯(lián)平坦化中的優(yōu)勢,介紹目前常用互連材料中SiO2介質(zhì)及其金屬材料鎢和銅的化學(xué)機(jī)械拋光常用分析機(jī)理,并簡單介紹了各種互聯(lián)材料常用的拋光液及拋光液的組分,對拋光液作了簡單的對比。針對傳統(tǒng)CMP過程存在的問題,分析了皮帶式和固定磨料的

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顯微、測量、微細(xì)加工技術(shù)與設(shè)備 M ir s o e, M e s e e t M ir f brc ton& E i e t co c p a ur m n, c o a ia i qu pm n

U S多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝 LI 賈英茜，劉玉嶺，牛新環(huán)，劉博，孫 (河北工業(yè)大學(xué)微電子研究所，天津 303 ) 010

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摘要：介紹了化學(xué)機(jī)械拋光 ( MP C )技術(shù)在大規(guī)模集成電路多層互連工藝[ ]中的重要作用，，對 C過程和 C MP MP的影響因素進(jìn)行簡單分析�？偨Y(jié)出 C技術(shù)在多層互聯(lián)平坦化中的優(yōu)勢，介 MP

紹目前常用互連材料中 S i介質(zhì)及其金屬材料鎢和銅的化學(xué)機(jī)械拋光常用分析機(jī)理，并簡單介 O 紹了各種互聯(lián)材料常用的拋光液及拋光液的組分，對拋光液作了簡單的對比。針對傳統(tǒng) C過 MP程存在的問題，分析了皮帶式和固定磨料的 C MP技術(shù)。 關(guān)鍵詞：學(xué)機(jī)械拋光；多層互連；拋光液；二氧化硅；銅；鎢化中圖分類號：T 45 7文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A文章編號：17 - 7 20 )0 . 9 . N 0. 9 6 1 7 6(06 80 70 4 3 5 Ch mi a e h n c l P l h n o e c l M c a ia o i i g f r s M u i v l I t r o n c n ULS t e e n e c n e t i l I JA n -in, L U - n, NI nh a, L U B, S n I Yig qa I Yul g i U Xi -u n I o UN Mig ( s t eo i o l t n s H biU i rt o eh o g,耐 i 30 3,C i ) I tu M c e c o i, ee n e i T cn l y n it f r er c v s yf o n 0 10 h a n Ab t a t T e mp r n e o MP i t e e n e c n e t wa e c b d a d h r c s a d sr c: h i o t c f C a n mu i v l i t r o n c s d s r e, n t e p o e s n l i ef c o MP wa a ay e . T e d a tg o M P n f t fC e s n l z d h a v n a e f C i mu i v l n e c n e t wa s mma z d t e e i t r o n c s u l i r e. T eC h MP me h n s o t r l i t e e n e c n e t t

e mae a n l d S O,wi n - c a im f mae a n mu i v l i t r o n c, h t r l i cu e i 2 i l i i r g ma t ra o p r a d t n se r e c b d e il c p e n u g tn we e d s r e .Ki d f p l h n l ry u e s c mp r d, a d t e i n s o o i i g s r s d wa o ae s u n h c mp st n o h s l ry w s d s r e .Ai n t t e d s d a t g f ta i o o o i o f t o e su r a e c b d i i mi g a h ia v n a e o r d t n CMP, t e sr p i h ta C MP a d f e b a i e F CMP wa e c b d n x d a r sv A. i s d sr e . i Ke r s y wo d:CMP; mu i v l i tr o n c; s r; S O; c p e; t n se t e e n e c n e t l r l u y i 2 o p r u g tn

1引言 在超大規(guī)模集成電路中，要在同一平面上避免連線交叉是十分困難的，為了能在有限的晶片表面上有足夠的金屬互聯(lián)線，出現(xiàn)了多層立體布線[] 。與此同時(shí)，光刻工藝中對解析度和焦點(diǎn)深度 (即景深)的限制越來越高，因此對硅片的表面

要。因?yàn)橐�在凹凸不平的表面上同時(shí)在凹處及凸處進(jìn)行聚焦是十分困難的，再加上后期制造時(shí)每層電路問的連接也需要相當(dāng)程度的平整度，否則電路將無法順利接通[] 4。所以在 I - 5 C制造追求結(jié)構(gòu)微細(xì)化、薄膜化和布線立體化的趨勢下，材料表面的高平坦化是制約集成電路發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。傳統(tǒng)的平坦化工藝已不能滿足平坦化的要求，而 C P M在大規(guī)模集成電路的制造全局平坦化中起著越來越重要的作用]。圖 1示出了 C P M技術(shù)的重要性。

平整度有較高的要求，特別當(dāng)產(chǎn)品需要三層或四層以上的金屬層時(shí)，對平坦化技術(shù)的需求更顯得重 收稿日期：2 0— 3 2 06 0— 1

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微納電技 20年期子術(shù) 06第8

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