鎳基助催化劑/二氧化鈦納米管陣列光生電荷界面轉移行為的研究
【文章頁數(shù)】:77 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2不同的助催化劑修飾的光催化劑示意圖
主要作用是吸收太陽光,而光催化反應是在半導體的表面進行的。實際上助催化劑是一種本身不具有光催化活性或者光催化活性很小的物質,但當它與光催化劑結合后卻能夠極大地提升光催化劑的催化性能。實際上,助催化劑的引入主要起到降低化學反應活化能的作用。隨著人們的研究發(fā)現(xiàn)助催化劑可以根據(jù)用途不同....
圖1.4BiVO4,CoPi/BiVO4電極和MOx/BiVO4電極光電流-電位特性
顯著提升了量子效率。李燦課題組采用原位電化學沉積的方法將CoPi助催化劑沉積到BiVO4薄膜極上,研究了助催化劑CoPi在BiVO4表面所起的作用[65]。如圖1.4(a)所,對于單純的BiVO4電極,其光電流的密度相對較低,然而當助催化劑CoPi入后,BiVO....
圖1.5CoPi/BiVO4和MOx/BiVO4(M:Co,Ir,Mn,和Ru)電極的光
oPi/BiVO4和MOx/BiVO4(M:Co,Ir,Mn,和Ru)電催化產(chǎn)氧和光電流密度曲線[65]。.1.5PhotocatalyticO2evolutionandphotocurrentdensitiescoPi/BiVO4andMOx/BiV....
圖1.6光催化表面與界面參數(shù)關系示意圖
圖1.6光催化表面與界面參數(shù)關系示意圖[66]。Fig.1.6Schematicillustrationoftherelationshipbetweensurfaceandinterfaparametersforphotocatalysis[66].2....
本文編號:4006778
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