發(fā)布時間：2024-12-26 04:01

　　 CdSe是Ⅱ-Ⅵ族中重要的半導體材料,一定條件下可與CdS形成無限固溶體CdSe_xS_1-x（0≤x≤1）。CdSe_xS_1-x在薄膜太陽電池及光電器件等領域具有重要的應用,對CdSe_xS_1-x的電子學結構和光學性質(zhì)進行研究有助于進一步提高其在光電器件等方面的應用�；�于第一性原理,采用平面波超軟贗勢方法,計算了CdSe_xS_1-x的電子學結構及光學性質(zhì),并將計算結果與實驗進行了對比。結果表明,CdSe_xS_1-x的晶格常數(shù)隨著Se組分的增加呈線性增大趨勢,態(tài)密度向低能級方向移動,禁帶寬度減小,光吸收邊發(fā)生一定程度的藍移。當Se含量為0.5時,CdSe_xS_1-x的光折射、反射和能量損失最大。除了Se和S的比例為1∶1時CdSe_xS_1-x所屬晶系為三斜晶系,其他比例下均為立方晶系。理論計算結果與...

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 計算模型和方法
    2.1 計算模型
    2.2 計算方法
3 結果與討論
    3.1 晶體結構
    3.2 電子學結構
    3.3 光學性質(zhì)
4 結 論



本文編號：4020499