發(fā)布時(shí)間：2024-06-05 20:36

　　開展電極結(jié)構(gòu)與空間布置對(duì)壓接型IGBT器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)均流影響的實(shí)驗(yàn)研究。首先,比較多種IGBT/FRD芯片級(jí)并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)電路,進(jìn)而搭建壓接型IGBT/FRD芯片級(jí)動(dòng)態(tài)均流特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái),對(duì)16枚FRD芯片開展動(dòng)態(tài)均流測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)器件內(nèi)存在復(fù)雜的動(dòng)態(tài)不均流現(xiàn)象,進(jìn)一步表明:發(fā)射極電極圓周化布置時(shí),在對(duì)稱的外部電磁條件下可以明顯優(yōu)化器件內(nèi)部的并聯(lián)均流特性,但當(dāng)器件連接外部不對(duì)稱匯流母排后,該設(shè)計(jì)方案收效甚微,甚至有加劇不均流的風(fēng)險(xiǎn);發(fā)射極電極刻槽方案,對(duì)于對(duì)稱或不對(duì)稱的外部電磁條件都能對(duì)器件內(nèi)部的動(dòng)態(tài)均流特性加以改善。

【文章頁(yè)數(shù)】：10 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 壓接型IGBT/FRD并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)原理
2 壓接型IGBT/FRD多芯片并聯(lián)均流特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
3 不同電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案的多芯片并聯(lián)均流特性實(shí)驗(yàn)
4 多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
5 結(jié)論



本文編號(hào)：3989908