浮地憶阻模擬器實(shí)際工作時(shí),輸入交流信號(hào)往往含有共模成分,其工作效果會(huì)受到共模成分的影響。為定量分析共模信號(hào)成分對(duì)浮地憶阻模擬器的影響程度,通過(guò)改變浮地憶阻模擬器輸入電壓信號(hào)中共模信號(hào)成分的大小,分析端口電流失真,得到浮地憶阻模擬器共模信號(hào)抑制能力的量化指標(biāo)。也將上述方法應(yīng)用到四種經(jīng)典的浮地憶阻模擬器,以證明有效性。

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【部分圖文】：

圖1“浮地”和“接地”型模擬器示意圖

由于納米技術(shù)存在成本高、實(shí)現(xiàn)困難等缺點(diǎn),憶阻器現(xiàn)僅存在實(shí)驗(yàn)室中,實(shí)現(xiàn)商品化還需要一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程。設(shè)計(jì)憶阻模擬器并用其代替憶阻器進(jìn)行實(shí)驗(yàn)和應(yīng)用研究具有重要意義。憶阻模擬器概念及其設(shè)計(jì)方法最早出現(xiàn)在文獻(xiàn)[1]中,其后出現(xiàn)了多種采用已有的分立元件實(shí)現(xiàn)憶阻模擬器的電路,如基于惠普憶阻[6....

圖2差模電壓和共模電壓作用示意圖

由式(2)可得,ic(t)相對(duì)id(t)的失真度為0,CMRC為無(wú)窮大,說(shuō)明浮地憶阻模擬器完全抑制了共模信號(hào);ic(t)相對(duì)id(t)的失真度越大,CMRC越小,說(shuō)明浮地憶阻模擬器的共模信號(hào)抑制能力越弱。圖3電流失真示意圖

圖3電流失真示意圖

圖2差模電壓和共模電壓作用示意圖按照上述關(guān)于CMRC的定義,將可以實(shí)現(xiàn)任意浮地憶阻模擬器CMRC的測(cè)量評(píng)價(jià),其過(guò)程如下:

圖4實(shí)驗(yàn)電路圖

為通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn)證上述共模信號(hào)抑制能力分析原理的正確性及實(shí)際測(cè)量的可行性,選取由AD844AN和AD633JN構(gòu)成的浮地憶阻模擬器[14]為基礎(chǔ),實(shí)驗(yàn)電路圖見圖4,元件參數(shù)見表1。表1元件參數(shù)表Tab.1Elementparameterlist元件名元件值允許的....

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