發(fā)布時(shí)間：2024-06-02 16:08

　　硒化錮(In₂Se₃)作為一種特殊的寬禁帶Ⅲ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體,具有很高的電阻率以及多個(gè)晶格相。由于其特殊的電學(xué)、光學(xué)特性被廣泛應(yīng)用于光探測(cè)器、太陽(yáng)能電池以及隨機(jī)相變存儲(chǔ)器(PRAM)等器件領(lǐng)域。半導(dǎo)體In₂Se₃成為光電子學(xué)以及存儲(chǔ)領(lǐng)域材料研究的熱點(diǎn)。本文利用化學(xué)氣相沉積(C VD)半導(dǎo)體工藝技術(shù)在硅片和氟晶云母襯底上分別成功制備了 In₂Se₃納米線(xiàn)和In₂Se₃納米片。利用表征手段如:掃描電子顯微鏡(SEM)、能量色散譜(EDS)、拉曼散射光譜(Raman)、X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)、文射線(xiàn)衍射(XRD)、光致發(fā)光譜(PL)以及透射-吸收光譜等對(duì)In₂Se₃納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試分析。主要結(jié)果如下:1.In₂Se₃納米線(xiàn)基于CVD工藝以鍍金的硅片作為襯底成功制備,其中Au在生長(zhǎng)過(guò)程中起到催化劑的作用,通過(guò)Raman光譜表征確...

【文章頁(yè)數(shù)】：55 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 In₂Se₃材料簡(jiǎn)介
        1.2.1 In₂Se₃晶格的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
        1.2.2 In₂Se₃材料的應(yīng)用
    1.3 硒化物納米材料的應(yīng)用
        1.3.1 光催化降解
        1.3.2 電化學(xué)氫存儲(chǔ)
        1.3.3 光探測(cè)器
        1.3.4 太陽(yáng)能電池
        1.3.5 相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
    1.4 納米材料合成研究進(jìn)展
        1.4.1 氣相合成法
        1.4.2 液相合成法
    1.5 本文主要研究?jī)?nèi)容
    參考文獻(xiàn)
第二章 In₂Se₃納米結(jié)構(gòu)的制備和研究方法
    2.1 硒化銦納米結(jié)構(gòu)的工藝平臺(tái)制備概述
    2.2 In₂Se₃納米線(xiàn)制備
    2.3 In₂Se₃納米片制備
    2.4 樣品表征設(shè)備
    參考文獻(xiàn)
第三章 In₂Se₃納米線(xiàn)的性能表征
    3.1 In₂Se₃納米線(xiàn)的形貌、成分分析
    3.2 In₂Se₃納米線(xiàn)的晶體結(jié)構(gòu)表征
    3.3 In₂Se₃納米線(xiàn)表面電子結(jié)構(gòu)分析
    3.4 In₂Se₃納米線(xiàn)性質(zhì)測(cè)試
    3.5 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第四章 In₂Se₃納米片基本表征
    4.1 In₂Se₃納米片的形貌、成分表征
    4.2 In₂Se₃納米片的晶體結(jié)構(gòu)表征
    4.3 In₂Se₃納米片的生長(zhǎng)機(jī)理
    4.4 In₂Se₃納米片的光學(xué)特性
        4.4.1 In₂Se₃納米片的PL譜
        4.4.2 In₂Se₃納米片的透射-吸收譜
    4.5 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第五章 結(jié)論與展望
    5.1 主要結(jié)論
    5.2 研究展望
攻讀碩士期間成果
致謝



本文編號(hào)：3987484