發(fā)布時間：2024-05-31 00:15

　　利用GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)的柵控特性和鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電薄膜的光伏效應,在HEMT器件的柵極處沉積一層PZT鐵電薄膜,提出了一種新型的(光敏感層/HEMT)探測結(jié)構(gòu).為制備出光伏性能優(yōu)異的薄膜,對不同的濺射功率和退火溫度制備的PZT鐵電薄膜進行表面形貌和鐵電性能分析.發(fā)現(xiàn)200 W濺射功率、700℃的退火溫度制備的薄膜表面晶粒生長明顯,剩余極化強度為38.0μC·cm-2.工藝制備GaN基HEMT器件并把PZT薄膜沉積到器件柵極上.在無光和365nm紫外光照射下對有、無鐵電薄膜的HEMT探測器的輸出特性進行測試.結(jié)果顯示,在光照時,有鐵電薄膜的HEMT器件相較于無光時,源-漏飽和電壓最多降低3.55V,飽和電流最多增加5.84mA,表明新型感光柵極HEMT探測器對紫外光具有優(yōu)異的探測效果.為實現(xiàn)對新型探測器的結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化的目的,對柵長為1μm、2μm和3μm等不同柵長的探測器進行光照測試.結(jié)果表明,在紫外光照射下,三種探測器的漏極飽和電流分別為23mA、20mA和17mA,所以柵長越長器件的飽和電流越小,探測性能越差.

【文章頁數(shù)】：10 頁

【文章目錄】：
0 Introduction
1 Preparation and analysis of thin films
    1.1 Ferroelectric film preparation
    1.2 Test analysis and discussion
        1.2.1 Surface topography
        1.2.2 XRD phase analysis
        1.2.3 Hysteresis loop analysis
2 Sense grating HEMT device preparation and testing
    2.1 Sense grating GaN HEMT preparation process
    2.2 Test analysis
3 Grid optimization
4 Conclusion



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