發(fā)布時(shí)間：2024-05-29 01:58

　　現(xiàn)代無線系統(tǒng)逐步向低剖面、小型化以及集成化等方向發(fā)展,這就對(duì)應(yīng)用于其中的傳輸線提出了新的要求。傳統(tǒng)的傳輸線如矩形波導(dǎo)、同軸線以及介質(zhì)波導(dǎo)等由于其三維結(jié)構(gòu),難以滿足低剖面要求,而微帶線、共面波導(dǎo)等平面?zhèn)鬏斁�由于Q值較低,難以達(dá)到高效率。基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)(Substrate Integrated Image Guide,SIIG)是由鏡像介質(zhì)波導(dǎo)為原型演變而來的平面?zhèn)鬏斁�,因此它能同時(shí)滿足高Q值和低剖面的要求。作為一種開放結(jié)構(gòu)的波導(dǎo),它的波導(dǎo)波長(zhǎng)相對(duì)較小,遇到不連續(xù)性時(shí)易于產(chǎn)生輻射,因此適合于作為天線饋線。目前SIIG面臨的主要問題是其加工過程較為復(fù)雜,成本較高,難以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn),而采用單層PCB工藝實(shí)現(xiàn)SIIG是這個(gè)問題的一個(gè)解決方案。本文的主要工作就是從SIIG的原理入手,對(duì)基于單層PCB工藝的SIIG的傳輸線及其饋電結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入研究,并且進(jìn)一步將這種結(jié)構(gòu)應(yīng)用于天線小型化的方向上。根據(jù)應(yīng)用指標(biāo)要求,實(shí)現(xiàn)具有不同性能的小型化天線。本文的主要內(nèi)容分為傳輸線設(shè)計(jì)以及天線設(shè)計(jì)兩部分。第一部分主要包括以下內(nèi)容:首先,從理論出發(fā)分析了SIIG的結(jié)構(gòu)以及其基本原理,進(jìn)而提出了采用單層PCB工藝...

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究工作的背景與意義
    1.2 國內(nèi)外研究歷史和現(xiàn)狀
    1.3 本文的主要貢獻(xiàn)與創(chuàng)新
    1.4 本論文的結(jié)構(gòu)安排
第二章 基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)理論
    2.1 鏡像介質(zhì)波導(dǎo)
        2.1.1 鏡像介質(zhì)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
        2.1.2 鏡像介質(zhì)波導(dǎo)分析
            2.1.2.1 鏡像介質(zhì)波導(dǎo)本征方程求解
            2.1.2.2 鏡像介質(zhì)波導(dǎo)截止條件
    2.2 基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)
        2.2.1 基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
        2.2.2 基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)數(shù)值分析方法
        2.2.3 基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)主要參數(shù)
    2.3 基于單層PCB工藝的基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)
        2.3.1 基于單層PCB工藝的基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
        2.3.2 基于單層PCB工藝的基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)改進(jìn)方法
    2.4 基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)激勵(lì)結(jié)構(gòu)
        2.4.1 常見激勵(lì)結(jié)構(gòu)
        2.4.2 基于單層PCB工藝的探針饋電結(jié)構(gòu)
    2.5 傳輸線設(shè)計(jì)及結(jié)果
    2.6 本章小結(jié)
第三章 基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)漏波天線
    3.1 漏波天線介紹
        3.1.1 漏波天線基本原理
        3.1.2 周期性漏波天線
        3.1.3 基片集成鏡像介質(zhì)波導(dǎo)漏波天線
    3.2 小型化高效率低副瓣垂直極化漏波天線
        3.2.1 指標(biāo)要求
        3.2.2 陣列設(shè)計(jì)
        3.2.3 單元設(shè)計(jì)及特性參數(shù)提取
        3.2.4 陣列賦形
        3.2.5 仿真及測(cè)試
    3.3 小型化低副瓣水平極化漏波天線
        3.3.1 水平線極化單元
        3.3.2 指標(biāo)要求
        3.3.3 低副瓣陣列設(shè)計(jì)
        3.3.4 仿真及測(cè)試
    3.4 本章小結(jié)
第四章 全文總結(jié)與展望
    4.1 研究?jī)?nèi)容總結(jié)
    4.2 未來工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果



本文編號(hào)：3983916