二維半導體材料由于其獨特的結構和優(yōu)異的光電特性,有望應用于下一代電子器件。二維半導體的大規(guī)模高質量制備仍然是研究熱點之一。本文通過化學氣相沉積法(CVD)合成了單層MoS₂、MoSe₂和SnS₂/MoSe₂范德瓦爾斯異質結,并研究了其光電性能。首先,水輔助CVD法生長了高質量單層MoS₂,具有表面干凈、分布均勻、范圍大等優(yōu)點。制備了場效應晶體管(FET)并測試了其光電性能。結果表明,水輔助生長的單層MoS₂ FET具有大的驅動電流和高遷移率(25 cm² V^-1 s^-1),以及高的開關電流比(10⁸)。此外,晶體管對532 nm的激光表現(xiàn)出良好的光響應性能。其次,CVD法合成了單層MoSe₂和薄層SnS₂。合成的單層MoSe₂面積大、分散均勻和晶體質量好�；�于MoSe₂的FET表現(xiàn)出...

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圖1-12DTMDs材料的新物理性能和潛在應用

溫州大學碩士學位論文型MoS2和WS2等[23]。Ds的物理性質由元素組成、晶體結構化物層間通過較弱的范德華作用力形成簡單機械或液相剝離方法獲得二維半導體材料，同時具有原子級厚度，有,25]、光電子器件[26]、場效應晶體管[2間[28,29]。圖1-2展現(xiàn)了TM....

圖1-2TMDs的晶格結構和帶隙

帶隙半導體材料，同時具有原子級厚度，有件[24,25]、光電子器件[26]、場效應晶體管[27及空間[28,29]。圖1-2展現(xiàn)了TMDs的能帶結MDs和其他2D材料（石墨烯（Gr），黑磷（B的關系。圖1-12DTMDs材料的新物理性能和潛在應用。[3F....

圖1-3（a）MoS2的三種晶體結構

S2的三種晶體結構。（b）單層MoS2晶體結構1-3(a)CrystalstructureofMoS2,2H,3Rand1T)Single-layerMoS2crystalstructuretopandside質和應用中可以得出，隨著物質從體相到....

圖1-4從第一性原理密度泛函理論計算得出的MoS2的能帶結構圖

MoS2的三種晶體結構。（b）單層MoS2晶體結構頂視圖和re1-3(a)CrystalstructureofMoS2,2H,3Rand1T,respect(b)Single-layerMoS2crystalstructuretopandsid....

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