發(fā)布時(shí)間：2024-07-09 03:58

　　二維半導(dǎo)體材料由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的光電特性,有望應(yīng)用于下一代電子器件。二維半導(dǎo)體的大規(guī)模高質(zhì)量制備仍然是研究熱點(diǎn)之一。本文通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)合成了單層MoS₂、MoSe₂和SnS₂/MoSe₂范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié),并研究了其光電性能。首先,水輔助CVD法生長(zhǎng)了高質(zhì)量單層MoS₂,具有表面干凈、分布均勻、范圍大等優(yōu)點(diǎn)。制備了場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)并測(cè)試了其光電性能。結(jié)果表明,水輔助生長(zhǎng)的單層MoS₂ FET具有大的驅(qū)動(dòng)電流和高遷移率(25 cm² V^-1 s^-1),以及高的開關(guān)電流比(10⁸)。此外,晶體管對(duì)532 nm的激光表現(xiàn)出良好的光響應(yīng)性能。其次,CVD法合成了單層MoSe₂和薄層SnS₂。合成的單層MoSe₂面積大、分散均勻和晶體質(zhì)量好�；�于MoSe₂的FET表現(xiàn)出...

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-12DTMDs材料的新物理性能和潛在應(yīng)用

溫州大學(xué)碩士學(xué)位論文型MoS2和WS2等[23]。Ds的物理性質(zhì)由元素組成、晶體結(jié)構(gòu)化物層間通過較弱的范德華作用力形成簡(jiǎn)單機(jī)械或液相剝離方法獲得二維半導(dǎo)體材料，同時(shí)具有原子級(jí)厚度，有,25]、光電子器件[26]、場(chǎng)效應(yīng)晶體管[2間[28,29]。圖1-2展現(xiàn)了TM....

圖1-2TMDs的晶格結(jié)構(gòu)和帶隙

帶隙半導(dǎo)體材料，同時(shí)具有原子級(jí)厚度，有件[24,25]、光電子器件[26]、場(chǎng)效應(yīng)晶體管[27及空間[28,29]。圖1-2展現(xiàn)了TMDs的能帶結(jié)MDs和其他2D材料（石墨烯（Gr），黑磷（B的關(guān)系。圖1-12DTMDs材料的新物理性能和潛在應(yīng)用。[3F....

圖1-3（a）MoS2的三種晶體結(jié)構(gòu)

S2的三種晶體結(jié)構(gòu)。（b）單層MoS2晶體結(jié)構(gòu)1-3(a)CrystalstructureofMoS2,2H,3Rand1T)Single-layerMoS2crystalstructuretopandside質(zhì)和應(yīng)用中可以得出，隨著物質(zhì)從體相到....

圖1-4從第一性原理密度泛函理論計(jì)算得出的MoS2的能帶結(jié)構(gòu)圖

MoS2的三種晶體結(jié)構(gòu)。（b）單層MoS2晶體結(jié)構(gòu)頂視圖和re1-3(a)CrystalstructureofMoS2,2H,3Rand1T,respect(b)Single-layerMoS2crystalstructuretopandsid....

本文編號(hào)：4004357