發(fā)布時間：2020-11-08 16:50

　　 目的:本實驗通過預設不同的粘接間隙值,評估Cercon(DeguDent公司,德國)和Organical(R+K公司,德國)CAD/CAM(Computer-aided Designed/Computer-aided Manufacturing)系統(tǒng)制造的種植氧化鋯底層冠與個性化基臺邊緣及內(nèi)部的適合性,為臨床種植氧化鋯冠制作時CAD/CAM系統(tǒng)和較佳粘接間隙預設值的選擇提供實驗依據(jù)。材料與方法:標準模型上制備Bego種植牙實驗模型。制作CAD/CAM個性化氧化鋯基臺。Cercon和R+K CAD/CAM系統(tǒng)按如下粘接間隙預設值各分為5組:0μm(0組)、20μm(20組)、30μm(30組)、45μm(45組)、60μm(60組),其余的設計均相同。分別安裝配套的瓷塊,每個實驗組分別切削5個底層冠,最終獲得50個底層冠。燒結后查看無瑕疵并在同一個基臺上就位,由兩名臨床醫(yī)生評估冠的回位率和邊緣適合性。然后,將每個牙冠分別就位在同一個基臺上,用Micro CT(Micro Computed Tomography,微機斷層掃描)掃描、Mimics軟件測量底層冠與基臺的OG值(Occlusal Gap,咬合間隙)、AG值(Axial Gap,軸面間隙)、AMD值(Absolute Marginal Discrepancy,絕對邊緣差異)、MG值(Marginal Gap,邊緣垂直間隙)。應用SPSS 21.0軟件對獲得的原始數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計學分析。結果:(1)兩種CAD/CAM系統(tǒng)制作的底層冠均能在同一個基臺上被動就位,所有底層冠的回位率為100%。根據(jù)改良的USPHS標準評估冠的適合性,R+K和Cercon組邊緣適合性達到A級的比例均大于85%。兩組底層冠邊緣適合性的對比無明顯的統(tǒng)計學差異(P0.05)。(2)利用Mimics17.0軟件測定每組氧化鋯底層冠與基臺的邊緣和內(nèi)部適合性,實驗數(shù)據(jù)顯示:(1)Cercon系統(tǒng)的邊緣和內(nèi)部間隙值均小于150μm;30μm組的MG、60μm組的OG和AG值均最小,MG值中30μm和60μm組的比較有統(tǒng)計學意義(P0.05)。(2)R+K系統(tǒng),0、20μm組的內(nèi)部間隙大于150μm,其它組的適合性均在臨床可接受的范圍內(nèi)。其中MG值中,60μm組與30μm、45μm組的比較均有統(tǒng)計學差異(P0.05);AG值中,30μm組與45μm組(P=0.0450.05)、60μm組的比較(P0.05)都有統(tǒng)計學差異;OG值中,45μm組與30、60μm組的比較均有統(tǒng)計學意義(P0.05)。(3)Cercon和R+K底層冠在30、45、60μm組的MG、OG、AG值的比較中均有明顯的差異(P0.05),Cercon組的適合性均小于R+K組。(4)兩個系統(tǒng)各間隙組中AMD與MG值,OG與AG值的比較都有統(tǒng)計學意義(P0.05),AMD、OG值分別大于MG、AG值。結論:(1)在本實驗條件下,Cercon系統(tǒng)的所有粘接間隙組的適合性均在臨床可接受的范圍內(nèi);粘接間隙預設為30μm組氧化鋯底層冠的邊緣垂直間隙優(yōu)于60μm組。(2)R+K系統(tǒng)粘接間隙預設為30、45、60μm時,氧化鋯冠的內(nèi)部和邊緣的適合性都符合臨床可接受的參考標準;30μm組氧化鋯底層冠的邊緣垂直間隙和內(nèi)部適合性優(yōu)于45、60μm組。(3)粘接間隙設置為30、45、60μm時,Cercon底層冠的內(nèi)部和邊緣垂直間隙明顯優(yōu)于R+K底層冠。(4)Cercon和R+K CAD/CAM系統(tǒng)的邊緣和內(nèi)部適合性并非均勻一致,咬合面比軸面適合性較差,邊緣垂直間隙相對于邊緣絕對差異較優(yōu)。
【學位單位】：大連醫(yī)科大學
【學位級別】：碩士
【學位年份】：2018
【中圖分類】：R783.1
【部分圖文】：

大連醫(yī)科大學碩士學位論文2、 方法2.1 樣本的制備2.1.1 標準石膏模型的制備去除標準石膏模型上的左上頜第一前磨牙，再沿牙體長軸研磨備洞，制備方向是從根方通向冠方，達到冠根向的完全穿通。在穿通區(qū)中央插入 Bego 種植體替代體（直徑 3.75mm）1 枚，替代體頸部距離頰側牙齦邊緣中點約 4mm，并用丙烯酸樹脂固定。旋入 Bego 種植體閉窗轉移桿，安放印模帽后，用托盤取模。待聚醚印模材料硬固后，使托盤從石膏模型脫位，印模帽固定于陰模中。從模型上擰下轉移桿，與替代體旋緊后，沿著卡槽正確就位在陰模上。靜置 30 分鐘后人工牙齦材料注射于替代體四周，待人工牙齦硬固后，灌注超硬石膏模型，備用。

大連醫(yī)科大學碩士學位論文2、 方法2.1 樣本的制備2.1.1 標準石膏模型的制備去除標準石膏模型上的左上頜第一前磨牙，再沿牙體長軸研磨備洞，制備方向是從根方通向冠方，達到冠根向的完全穿通。在穿通區(qū)中央插入 Bego 種植體替代體（直徑 3.75mm）1 枚，替代體頸部距離頰側牙齦邊緣中點約 4mm，并用丙烯酸樹脂固定。旋入 Bego 種植體閉窗轉移桿，安放印模帽后，用托盤取模。待聚醚印模材料硬固后，使托盤從石膏模型脫位，印模帽固定于陰模中。從模型上擰下轉移桿，與替代體旋緊后，沿著卡槽正確就位在陰模上。靜置 30 分鐘后人工牙齦材料注射于替代體四周，待人工牙齦硬固后，灌注超硬石膏模型，備用。

與替代體旋緊后，沿著卡槽正確就位在陰模上。靜置 30 分鐘后人工牙齦材料注射于替代體四周，待人工牙齦硬固后，灌注超硬石膏模型，備用。圖 1 標準模型左上頜第一前磨牙缺失模型 圖 2 左上頜第一前磨牙植入種植體替代體
【參考文獻】

相關期刊論文 前10條

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本文編號：2875059