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倍增型有機(jī)光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與性能研究

發(fā)布時(shí)間:2024-06-04 06:18
  與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體相比,有機(jī)半導(dǎo)體具有材料來(lái)源廣、質(zhì)量輕、光譜可調(diào)、可大面積制備和柔性可彎曲等優(yōu)點(diǎn),有機(jī)光電探測(cè)器有望成為下一代商業(yè)化的光電探測(cè)器件。為了滿足微弱光的探測(cè)需求,需要開(kāi)發(fā)高效率有機(jī)光電探測(cè)器,倍增型有機(jī)光電探測(cè)器具有巨大的發(fā)展?jié)摿。然?目前對(duì)倍增型有機(jī)光電探測(cè)器的研究還不夠深入,器件性能亟待提高,工作機(jī)制有待進(jìn)一步探討。本論文以倍增型有機(jī)光電探測(cè)器為研究對(duì)象,從材料選擇和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)出發(fā),提高探測(cè)器性能,調(diào)節(jié)光譜響應(yīng)范圍,最終制備一系列高性能倍增型有機(jī)光電探測(cè)器。主要研究?jī)?nèi)容如下:(1)以TAPC:C70作為光敏材料,利用空穴阻擋層(HBL)的阻擋作用積累空穴而誘導(dǎo)電子隧穿注入為倍增機(jī)理,通過(guò)優(yōu)化HBL材料,制備出了高效率倍增型有機(jī)光電探測(cè)器。對(duì)比PO-T2T、3TPYMB、BCP、Bm Py Pb、TPBi不同HBL的結(jié)果表明,HBL的HOMO能級(jí)越大,LUMO能級(jí)越低,電子遷移率越高,越有利于空穴的阻擋和電子的遂穿,器件的探測(cè)性能越好。而通過(guò)在HBL與活性層之間的C70層中摻雜Mo O3,利用Mo O

【文章頁(yè)數(shù)】:142 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:博士

【部分圖文】:

圖1.1有機(jī)光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換過(guò)程[1]

圖1.1有機(jī)光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換過(guò)程[1]

第一章緒論1第一章緒論1.1有機(jī)光電探測(cè)器概述當(dāng)光照射到某些金屬或半導(dǎo)體表面時(shí),它的一部分被物體反射,一部分滲入物體內(nèi)部并與物質(zhì)中的微粒產(chǎn)生相互作用,引起其物理性質(zhì)的變化,比如溫度升高(光熱效應(yīng))、電導(dǎo)率增加(光電導(dǎo)效應(yīng))、產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)(光伏效應(yīng))以及激發(fā)出電子(光電效應(yīng))等。....


圖1.2有機(jī)光電探測(cè)器的器件結(jié)構(gòu),(a)單層肖特基結(jié)構(gòu),(b)平面異質(zhì)結(jié),(c)本體異質(zhì)結(jié),(d)平面/體相混合異質(zhì)結(jié)和(e)疊層結(jié)構(gòu)

圖1.2有機(jī)光電探測(cè)器的器件結(jié)構(gòu),(a)單層肖特基結(jié)構(gòu),(b)平面異質(zhì)結(jié),(c)本體異質(zhì)結(jié),(d)平面/體相混合異質(zhì)結(jié)和(e)疊層結(jié)構(gòu)

第一章緒論31.1.2有機(jī)光電探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)如圖1.2所示,OPDs的結(jié)構(gòu)主要包括:?jiǎn)螌有ぬ鼗Y(jié)構(gòu)、平面異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)、本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)、疊層結(jié)構(gòu)、倒置型結(jié)構(gòu),目前應(yīng)用最廣泛的是本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。圖1.2有機(jī)光電探測(cè)器的器件結(jié)構(gòu),(a)單層肖特基結(jié)構(gòu),(b)平面異質(zhì)結(jié),(c)本體異質(zhì)結(jié)....


圖1.3(a)正置結(jié)構(gòu)和(b)倒置結(jié)構(gòu)器件示意圖

圖1.3(a)正置結(jié)構(gòu)和(b)倒置結(jié)構(gòu)器件示意圖

第一章緒論5響應(yīng)器件單元以串聯(lián)的方式制成[11]。由于不同光功能層的光響應(yīng)波段存在差異,因此可以利用不同材料具有的不同吸收范圍進(jìn)行互補(bǔ),從而拓寬器件可探測(cè)的波長(zhǎng)范圍。在太陽(yáng)能電池中為了提高器件對(duì)于太陽(yáng)光譜的吸收范圍,也采用疊層結(jié)構(gòu)。然而,制備疊層器件所需的合適的光活性材料和中間層....


圖1.4按工作模式分類,(a)光電二極管型,(b)光電導(dǎo)體型,(c)光電晶體管型

圖1.4按工作模式分類,(a)光電二極管型,(b)光電導(dǎo)體型,(c)光電晶體管型

ovoltaicMode)[15]。此時(shí),并聯(lián)電阻產(chǎn)生的熱噪聲是器件的主要噪聲。器件也可以在一定的反向偏壓條件下工作,我們稱之為光電導(dǎo)模式(PhotoconductMode)。此模式有利于提高器件的響應(yīng)速度,也會(huì)增加暗電流和噪聲電流,并且暗電流產(chǎn)生的散粒噪聲將成為主要噪聲。根據(jù)光....



本文編號(hào):3988986

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