發(fā)布時(shí)間：2024-02-26 17:35

　　微波收發(fā)前端組件進(jìn)一步小型化需求推動(dòng)了射頻微系統(tǒng)的發(fā)展。隨著射頻微系統(tǒng)集成度的進(jìn)一步提高,亟需所需的射頻芯片也能夠和傳統(tǒng)數(shù)字/模擬電路一樣形成知識(shí)產(chǎn)權(quán)(Intellectual Property)核,從而能夠快速、準(zhǔn)確評(píng)估射頻系統(tǒng)性能。射頻芯片IP的協(xié)同設(shè)計(jì)可以大大縮短研發(fā)時(shí)間,并使快速升級(jí)迭代成為可能。由于射頻系統(tǒng)電路種類繁多、工作頻帶廣、加工工藝多,實(shí)現(xiàn)多功能、全頻帶、多工藝條件下的射頻IP(Radio Frequency Intellectual Property)建核是難點(diǎn)。同時(shí),隨著射頻系統(tǒng)對(duì)大功率的輸出特性需求的增加,氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)等半導(dǎo)體材料已經(jīng)在射頻陣列中得到廣泛應(yīng)用。因而,針對(duì)GaN、GaAs工藝的射頻芯片IP化建模技術(shù)研究對(duì)于射頻系統(tǒng)的高效高水平研發(fā)具有重要意義。針對(duì)以上難點(diǎn),本文的研究?jī)?nèi)容如下:1、毫米波GaAs功放芯片IP模型針對(duì)GaAs工藝29³9GHz的功率放大器芯片,建立了基于EEHEMT模型的功放IP模型。首先測(cè)試得到所用GaAs HEMT器件的直流IV特性、S參數(shù)以及大信號(hào)特性,依據(jù)測(cè)試得到的S參數(shù),提取寄生...

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究工作的背景與意義
    1.2 射頻功放建模的國(guó)內(nèi)外研究狀況
    1.3 PIN二極管建模國(guó)內(nèi)外研究狀況
    1.4 本文的研究?jī)?nèi)容和結(jié)構(gòu)安排
第二章 功放和開(kāi)關(guān)電路和建�；�礎(chǔ)
    2.1 引言
    2.2 芯片模型原理
        2.2.1 行為模型理論
        2.2.2 緊湊模型理論
    2.3 HEMT和 PIN工作機(jī)理
        2.3.1 HEMT器件結(jié)構(gòu)與工作原理
        2.3.2 PIN二極管器件結(jié)構(gòu)與工作原理
    2.4 本章小結(jié)
第三章 GaAs功率放大器模型
    3.1 引言
    3.2 寄生參數(shù)提取
    3.3 大信號(hào)建模
    3.4 功放電路驗(yàn)證
    3.5 本章小結(jié)
第四章 GaN功率放大器模型
    4.1 準(zhǔn)物理基的區(qū)域劃分大信號(hào)模型
    4.2 自熱與陷阱效應(yīng)的表征
    4.3 模型結(jié)果與討論
    4.4 本章小結(jié)
第五章 PIN開(kāi)關(guān)芯片模型
    5.1 引言
    5.2 PIN二極管模型
        5.2.1 雙極擴(kuò)散方程基本理論
        5.2.2 PIN二極管模型
    5.3 PIN開(kāi)關(guān)芯片模型
    5.4 本章小結(jié)
第六章 全文總結(jié)與展望
    6.1 全文總結(jié)
    6.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果



本文編號(hào)：3911613