基于間隙波導的V波段功率合成放大器的研究
[Abstract]:Millimeter-wave solid-state power amplifier is an important component in millimeter-wave transmitter system. In order to pursue the miniaturization, high power and wideband characteristics of solid-state power amplifier, Based on a large number of investigations on V band power synthesis technology and ridge gap waveguide technology, a novel V band power synthesis amplifier scheme based on ridge gap waveguide is proposed in this paper, which has low loss. Broadband, miniaturization and good heat dissipation features. In this paper, the theoretical basis of EBG structure and ridge gap waveguide is introduced in detail, and the similarities and differences between EBG structure and electromagnetic soft and hard surface are analyzed and compared. The band gap characteristics of pin type EBG structure are analyzed and verified by direct transmission line method and dispersion graph method in HFSS. Secondly, a novel ridge gap waveguide / rectangular waveguide conversion structure is proposed, which is suitable for V band. The simulation results show that the relative bandwidth is 46.6 at 51GHz ~ 82GHz S11 lower than -20dB. At the same time, a V-band ridge gap wave-microstrip conversion structure is designed. The simulation results show that the relative bandwidth is 40 at 50GHz ~ 75GHz S11 lower than -20dB. Then the single-channel back-to-back passive structure and the single-channel amplifier are fabricated and tested. The test results verify the feasibility of the two schemes. Then, the V-band microstrip line power divider, waveguide branch bridge and ridge gap waveguide splitter are analyzed and compared. The V-band ridge gap waveguide 1 splitter, 2 splitter and 1 splitter 4 power divider are designed. The simulation results show that the ridge gap waveguide splitter is in the whole V band, the S11 is below-20dB, and the power divider is lower than -20 dB at 51GHz ~ 68GHz S11. Then two power distribution synthesis networks are fabricated and tested. The experimental results verify the feasibility of the power divider scheme of ridge gap waveguide. Finally, on the basis of the optimized design of bias circuit, the selection of dielectric substrate and power chip, the design, simulation and performance prediction of 4-channel power synthesizer for V-band ridge gap waveguide are carried out. The simulation results of 4-channel power distribution synthesis network show that the loss is within 0.29dB at 53GHz ~ 65GHz S11 lower than -15db. At the same time, the cavity structure of the amplifier is designed and the thermal simulation of the amplifier is carried out. The results show that the scheme has good heat dissipation performance. In this paper, the application of ridge gap waveguide in power amplifier is studied, which is helpful to the application of ridge gap waveguide in active devices.
【學位授予單位】:南京理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2017
【分類號】:TN722
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,本文編號:2335090
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