中国韩国日本在线观看免费,A级尤物一区,日韩精品一二三区无码,欧美日韩少妇色

當(dāng)前位置:主頁(yè) > 碩博論文 > 工程博士論文 >

新型二維硫族化合物的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2024-03-17 13:44
  隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題日益加劇,新型能源材料設(shè)計(jì)以及儲(chǔ)能材料的研發(fā)成為解決能源問(wèn)題的重要途徑.近年來(lái),二維材料(2D)結(jié)構(gòu)種類繁多,性質(zhì)各異,在光電子學(xué)、自旋電子學(xué)、超導(dǎo)、催化以及二次鋰離子電池等領(lǐng)域都展示出了廣泛的應(yīng)用前景.在眾多的二維材料中,二維硫族化合物表現(xiàn)出獨(dú)特的物理、化學(xué)和電子性質(zhì)而備受關(guān)注.尤其是它具有一些獨(dú)特性質(zhì):其一,在結(jié)構(gòu)上具有很大的比表面積,結(jié)構(gòu)自身占據(jù)整個(gè)表面,提供了更多的活性位點(diǎn);其二,材料的電子結(jié)構(gòu)可通過(guò)外界應(yīng)力、電場(chǎng)、邊緣量子化效應(yīng)以及厚度、晶格對(duì)稱性和維度變化等手段加以調(diào)控;其三,普遍表現(xiàn)出較高的電子遷移率.這些特點(diǎn)使其在能源存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景.因此,探索和研究如何調(diào)控和設(shè)計(jì)新功能的二維硫族化合物(包括過(guò)渡金屬/非過(guò)渡金屬硫族化合物)材料具有重要研究意義.本文具體研究?jī)?nèi)容如下:(1)維度和氫鈍化對(duì)ZnSe納米材料電學(xué)性質(zhì)的影響二維ZnSe具有獨(dú)特電子結(jié)構(gòu)和良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,實(shí)驗(yàn)上已經(jīng)成功制備大面積材料,帶隙值在23 eV之間,表現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)性質(zhì).本文系統(tǒng)研究了二維單層ZnSe、一維ZnSe納米帶(NRs)和一維Z...

【文章頁(yè)數(shù)】:137 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:博士

【部分圖文】:

圖1.1美國(guó)儲(chǔ)能系統(tǒng)類型和電化學(xué)儲(chǔ)能的效率[22]

圖1.1美國(guó)儲(chǔ)能系統(tǒng)類型和電化學(xué)儲(chǔ)能的效率[22]

等研究,它們顯示出很高的初始容量(對(duì)于Li4.4Sn為993mAhg-1),然而,這些合金材料在循環(huán)過(guò)程中承受大的體積改變和容量的衰退[21].對(duì)于負(fù)極材料,目前商業(yè)上普遍使用石墨這一傳統(tǒng)材料作為鋰離子電池負(fù)極材料,但是其理論容量低.與石墨相比,硅基材料雖然具有非常高的比容量,但....


圖1.2非鋰離子二次電池在經(jīng)濟(jì)和規(guī)模上的應(yīng)用情況[22]

圖1.2非鋰離子二次電池在經(jīng)濟(jì)和規(guī)模上的應(yīng)用情況[22]

內(nèi)蒙古大學(xué)博士學(xué)位論文4的鉀元素,即鉀離子系統(tǒng)(K-ion系統(tǒng),KIB),由于地殼中鉀的含量豐富和相對(duì)低的還電勢(shì)電位也被廣泛研究[25,26].但與鈉離子系統(tǒng)不同的是鉀離子電池傾向于可逆地嵌入到石墨中,這一點(diǎn)類似于LIB系統(tǒng)[27].目前由于Na+/K+離子尺寸增大及低的可逆性容....


圖1.3半導(dǎo)體光催化劑分解水的氧化還原基本機(jī)理的示意圖[42]

圖1.3半導(dǎo)體光催化劑分解水的氧化還原基本機(jī)理的示意圖[42]

新型二維硫族化合物的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及應(yīng)用5KIB受到大多數(shù)負(fù)極熱失控的影響,造成安全性低[36];金屬氧化物,特別是過(guò)渡金屬氧化物還存在大量的氧化問(wèn)題[37];MIB通常包含Mg純金屬,它們?cè)谪?fù)極表面易形成電化學(xué)惰性層,形成鎂枝晶,從而降低了電池效率[38].針對(duì)以上各類金屬離子電池主....


圖1.4MoS2的結(jié)構(gòu)示意圖:(a)2H-MoS2,(b)1H-MoS2,(c)1H-MoS2通過(guò)納米粒協(xié)通催化[71].(d)第三主族單層硫化物相對(duì)分解水氧化還原勢(shì)的帶邊位置;(e)過(guò)渡金屬硫化物單層相對(duì)于分解水氧化還原勢(shì)的帶邊

圖1.4MoS2的結(jié)構(gòu)示意圖:(a)2H-MoS2,(b)1H-MoS2,(c)1H-MoS2通過(guò)納米粒協(xié)通催化[71].(d)第三主族單層硫化物相對(duì)分解水氧化還原勢(shì)的帶邊位置;(e)過(guò)渡金屬硫化物單層相對(duì)于分解水氧化還原勢(shì)的帶邊

新型二維硫族化合物的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及應(yīng)用9率在平面內(nèi)表現(xiàn)出高度的各向異性,沿著y軸高達(dá)10000cm2V-1S-1[81].實(shí)驗(yàn)上,TiS3納米帶也已經(jīng)被成功制備,掃描隧穿光譜表征顯示帶隙值大小為1.2eV.由于適中的帶隙和高的電子遷移率,TiS3單層以及納米帶已經(jīng)被廣泛應(yīng)用,室溫下T....



本文編號(hào):3931117

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://www.lk138.cn/shoufeilunwen/gckjbs/3931117.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶6ae97***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com