發(fā)布時(shí)間：2020-12-10 04:13

　　太陽(yáng)能光伏技術(shù)是人類在21世紀(jì)必須掌握的核心技術(shù)之一，當(dāng)今世界環(huán)境、經(jīng)濟(jì)和能源問題突出，而太陽(yáng)能的應(yīng)用是解決能源與環(huán)境問題的有效途徑，如今，光伏發(fā)電技術(shù)和太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展蒸蒸日上，但同時(shí)還存在一些須待解決的嚴(yán)重問題。太陽(yáng)能光伏發(fā)電組件，分為晶體硅太陽(yáng)能電池組件和薄膜太陽(yáng)能電池組件用兩類。薄膜太陽(yáng)能電池使用只有幾微米厚的半導(dǎo)體材料,相對(duì)于晶硅電池，太陽(yáng)能薄膜電池理論轉(zhuǎn)換率更高，也更為環(huán)保，而且它們的應(yīng)用更廣泛，襯底更靈活，可以應(yīng)用于太陽(yáng)能屋頂?shù)奈菝娌牧虾碗p電力發(fā)電機(jī)。所以，在太陽(yáng)能電池發(fā)展方面，人們?cè)谥攸c(diǎn)研究和發(fā)展各種薄膜太陽(yáng)能電池，側(cè)重研究具有不同光譜響應(yīng)和不同禁帶寬度的復(fù)合材料，以制成多結(jié)薄膜電池，來進(jìn)一步提高電池的轉(zhuǎn)換效率和降低成本。CdTe薄膜太陽(yáng)能電池具有高的理論轉(zhuǎn)換高效率，制作成本低，它的禁帶寬度在1.45ev左右，能與太陽(yáng)光譜很好地匹配，是一種理想的吸收層材料。目前，在這一領(lǐng)域領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)是一家叫作FirstSolar（第一太陽(yáng)能）的公司，它使用碲化鎘作為薄膜材料。本文主要對(duì)射頻磁控濺射法制備CdO/CdTe薄膜電池進(jìn)行研究，利用X射線衍射儀（XRD）、紫外-可見光譜儀、... 

【文章來源】：杭州電子科技大學(xué)浙江省

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 文獻(xiàn)綜述
    1.1 引言
    1.2 太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)介
        1.2.1 太陽(yáng)能電池的基本工作原理
        1.2.2 太陽(yáng)能電池效率
        1.2.3 太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)
    1.3 太陽(yáng)能電池分類
        1.3.1 單晶硅太陽(yáng)電池
        1.3.2 多晶硅太陽(yáng)電池
        1.3.3 多晶硅和微晶硅薄膜太陽(yáng)電池
        1.3.4 非晶硅薄膜太陽(yáng)電池
        1.3.5 帶狀硅太陽(yáng)電池
        1.3.6 ΙΙΙ V 族化合物太陽(yáng)電池
        1.3.7 硒銦銅多晶薄膜太陽(yáng)電池
        1.3.8 碲化鎘多晶薄膜太陽(yáng)電池
        1.3.9 有機(jī)太陽(yáng)電池
    1.4. 光伏發(fā)電概況
        1.4.1 國(guó)外發(fā)展概況
        1.4.2 國(guó)內(nèi)發(fā)展概況
    1.5 本論文的主要工作及目的
第2章 樣品的制備方法和測(cè)試方法
    2.1 CdTe 薄膜的制備工藝
        2.1.1 近距離空間升華法
        2.1.2 電沉積法
        2.1.3 磁控濺射法
        2.1.4 真空蒸發(fā)法
        2.1.5 近距離氣相輸運(yùn)
        2.1.6 絲網(wǎng)印刷法
    2.2 射頻磁控濺射制備 CdTe 多晶薄膜
        2.2.1 磁控濺射沉積 CdTe 薄膜原理
        2.2.2 射頻磁控濺射的特點(diǎn)
        2.2.3 射頻磁控濺射系統(tǒng)
        2.2.4 工藝參數(shù)對(duì) CdTe 薄膜的影響
    2.3 測(cè)試 CdTe 薄膜方法介紹
        2.3.1 薄膜的晶體結(jié)構(gòu)測(cè)試
        2.3.2 薄膜光學(xué)性質(zhì)的測(cè)試
        2.3.3 薄膜的電學(xué)性能測(cè)試
        2.3.4 薄膜表面形貌及成分測(cè)試
    2.4 本章小結(jié)
第3章 CdTe 薄膜的制備及特性研究
    3.1 樣品制備與測(cè)試
        3.1.1 基片的清洗
        3.1.2 CdTe 薄膜樣品制備的實(shí)驗(yàn)過程
    3.2 結(jié)果與討論
        3.2.1 薄膜晶體結(jié)構(gòu)分析
        3.2.2 薄膜的光學(xué)性質(zhì)
        3.2.3 薄膜的形貌與成分分析
    3.3 本章總結(jié)
第4章 Cu 摻雜對(duì) CdTe 薄膜性能的影響
    4.1 引言
    4.2 摻雜過程討論
        4.2.1 共濺射法摻雜
        4.2.2 Cu 摻雜前后 CdTe 薄膜的晶體結(jié)構(gòu)分析
        4.2.3 Cu 摻雜后 CdTe 薄膜的電學(xué)特性
        4.2.4 Cu 摻雜后 CdTe 薄膜的光學(xué)特性
    4.3 本章總結(jié)
第5章 CdO/CdTe 薄膜電池的制備及性能測(cè)試
    5.1 CdTe 薄膜電池結(jié)構(gòu)
        5.1.1 透明導(dǎo)電 ZnO 薄膜
        5.1.2 CdO 薄膜的制備及特性
        5.1.3 CdTe 薄膜及 Cu 背電極的制備
    5.2 電池性能測(cè)試
        5.2.1 薄膜電池的光譜響應(yīng)
        5.2.2 薄膜電池的伏安特性
    5.3 本章總結(jié)
第6章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
詳細(xì)摘要


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]濺射功率和氣壓對(duì)CdTe薄膜結(jié)晶性的影響[J]. 王國(guó)寧,楊宇,孔令德,姬榮斌,張曙.  硅酸鹽通報(bào). 2007(04)
[2]太陽(yáng)電池中CdTe多晶薄膜沉積制備及其性能[J]. 鄭華靖,張靜全,馮良桓,蔡偉,鄭家貴,謝二慶.  四川大學(xué)學(xué)報(bào)(工程科學(xué)版). 2005(02)
[3]CdTe薄膜的制備和后處理研究[J]. 蔡偉,馮良桓,蔡亞平,張靜全,武莉莉.  四川大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(02)
[4]近空間升華法制備CdTe薄膜[J]. 蔡偉,張靜全,鄭家貴,黎兵,蔡亞平,武莉莉,邵燁,馮良桓.  半導(dǎo)體光電. 2001(02)
[5]ZnTe Cu薄膜的制備及其性能[J]. 鄭家貴,張靜全,蔡偉,黎兵,蔡亞平,馮良桓.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2001(02)
[6]荷能離子束沉積的氧化物薄膜光學(xué)性質(zhì)[J]. 郭屏,鄭舒穎,費(fèi)微,嚴(yán)昭南,江建國(guó).  光學(xué)儀器. 1999(Z1)
[7]28.4nm和30.4nm波段的C/Si多層膜[J]. 王國(guó)田,馬月英,曹健林.  光學(xué)儀器. 1999(Z1)
[8]CdS多晶薄膜的制備及其性能的研究[J]. 黎兵,蔡亞平,朱居木,鄭家貴,蔡偉,馮良桓.  四川大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 1999(03)
[9]CdS多晶薄膜的電學(xué)性質(zhì)[J]. 黃小融,鄭家貴,蔡偉,黎兵,蔡亞平,朱居木,馮良桓.  半導(dǎo)體光電. 1998(06)
[10]離子束濺射技術(shù)制備 Ge-SiO2 納米顆粒鑲嵌薄膜的微結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)研究[J]. 岳蘭平.  電子顯微學(xué)報(bào). 1997(04)

碩士論文
[1]CdTe多晶薄膜的制備及后處理研究[D]. 夏庚培.四川大學(xué) 2004



本文編號(hào)：2908065