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電泳沉積法制備鐵磁膜及磁電復(fù)合膜的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-02-29 14:23
【摘要】:采用溶膠凝膠法制備納米鈦酸鋇(BaTiO_3)粉體,采用化學(xué)共沉淀法制備納米鈷鐵氧體(CoFe_2O_4)粉體,并采用改進(jìn)的溶膠凝膠法制備出BaTiO_3/CoFe_2O_4復(fù)合納米粉體,利用X射線衍射儀對(duì)納米粉體進(jìn)行物相分析,結(jié)果表明制備的納米粉體粒徑均為納米級(jí),且沒(méi)有雜相生成。 對(duì)電泳沉積動(dòng)力學(xué)原理和懸浮液穩(wěn)定性進(jìn)行了研究,以乙醇和乙酰丙酮為有機(jī)溶劑,并添加不同的分散劑,配制出帶電且穩(wěn)定的CoFe_2O_4懸浮液和BaTiO_3/CoFe_2O_4復(fù)合懸浮液。利用zeta電勢(shì)來(lái)表征懸浮液穩(wěn)定性,研究了超聲分散時(shí)間和濃度等因素對(duì)電導(dǎo)率的影響。結(jié)果表明:經(jīng)過(guò)超聲分散后,兩種懸浮液具有較高的zeta電勢(shì)和電導(dǎo)率,且在一定范圍內(nèi)隨著懸浮液濃度增加,zeta電勢(shì)和電導(dǎo)率增大。BaTiO_3/CoFe_2O_4復(fù)合懸浮液的zeta電勢(shì)隨著CoFe_2O_4含量增加而增大,不同濃度的懸浮液達(dá)到最大電導(dǎo)率所需要的超聲分散時(shí)間也不同。 利用電泳沉積法在不同襯底上成功制備出納米CoFe_2O_4單層膜和BaTiO_3/CoFe_2O_4磁電復(fù)合膜,研究了電極間距、外加電壓和沉積時(shí)間等條件對(duì)沉積工藝的影響,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明只有當(dāng)外加電場(chǎng)強(qiáng)度大于某個(gè)臨界值時(shí),電泳沉積才能進(jìn)行。利用X射線衍射儀和掃描電子顯微鏡分析了樣品的組分和微觀形貌,利用鐵電測(cè)試儀、漏電流測(cè)試儀和振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)分別測(cè)試了樣品的電滯回線、漏電流曲線和磁滯回線,并通過(guò)磁電耦合測(cè)試儀測(cè)試復(fù)合膜的磁電耦合系數(shù)。實(shí)驗(yàn)表明,電泳沉積工藝制備CoFe_2O_4單層膜和BaTiO_3/CoFe_2O_4磁電復(fù)合膜是可行的,且沉積條件的選擇對(duì)形成良好的膜有重要影響。電泳沉積工藝制備的CoFe_2O_4單層膜具有優(yōu)良的鐵磁性能。BaTiO_3/CoFe_2O_4磁電復(fù)合膜具有良好的鐵電性能和鐵磁性能,且鐵磁性能隨著CoFe_2O_4含量增加而顯著增大,當(dāng)CoFe_2O_4含量超過(guò)60%時(shí),復(fù)合膜發(fā)生滲流效應(yīng),出現(xiàn)較大的漏電流,摩爾比為1:1的BaTiO_3/CoFe_2O_4復(fù)合膜磁電耦合系數(shù)為3mV/cm/Oe。
【圖文】:

隧道結(jié),模型,磁電,磁電傳感器


圖1-1 a. 多鐵性隧道結(jié)模型 b. 四阻態(tài)模型件的小型化過(guò)程中,電子器件之間的電子信號(hào)干擾成為其發(fā)展的阻子信號(hào)干擾的過(guò)程中,引發(fā)了器件小型化和需要更多的抗電磁干擾磁電復(fù)合多鐵性材料兼有電容和電感特性,即同時(shí)具有電滯損耗和種特性制備的抗電磁干擾濾波器可以減小電路板空間的損耗,抑制擾。在電子器件的小型化和高度集成化的過(guò)程中,磁電復(fù)合多鐵性作用[20]。多鐵性材料具有電磁和磁電轉(zhuǎn)換的動(dòng)態(tài)特性,即在外加電場(chǎng)或磁場(chǎng)應(yīng)的磁信號(hào)或電信號(hào)。通常情況下,磁信號(hào)都比較弱,因此我們可大,或者將較強(qiáng)的電信號(hào)減弱,利用上述特性可以將多鐵性材料制由于磁電耦合效應(yīng)的存在,磁電材料還可作為磁電傳感器應(yīng)用于傳京大學(xué)Toshiyuki Ueno等[21]制備出了微位移傳感器,其靈敏度,,在新型的汽車(chē)制動(dòng)裝置中,通過(guò)磁電傳感器取代傳統(tǒng)的恒液壓

工藝流程圖,電泳沉積,復(fù)合膜,工藝流程


制備出能夠穩(wěn)定存在且?guī)щ姷?BTO/CFO 膠體懸浮液平臺(tái)上電泳沉積獲得 CFO 單層膜和 BTO/CFO 磁電復(fù)合膜火條件,并利用 X 射線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡和形貌分析,分別測(cè)試單層膜和復(fù)合膜的鐵電、漏電和鐵題研究?jī)?nèi)容主要有以下幾個(gè)方面:aTiO3/CoFe2O4復(fù)合納米粉體的制備工藝;泳沉積懸浮液的制備方法及表征;建能夠?qū)崿F(xiàn)電極材料、間距和電壓等沉積參數(shù)可調(diào)的電泳oFe2O4單層膜、BaTiO3/CoFe2O4復(fù)合膜的電泳沉積工藝;究電泳沉積懸浮液的穩(wěn)定性機(jī)理、電泳沉積工藝的原理以。沉積法制備 BaTiO3/CoFe2O4(BTO/CFO)復(fù)合膜工藝如圖
【學(xué)位授予單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類(lèi)號(hào)】:TB383.2

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