發(fā)布時間：2024-10-04 23:07

　　 用蒙特卡洛中子輸運程序（MCNPX）對中國聚變工程實驗CFETR超導磁體進行中子學輸運計算,利用歐洲活化計算程序FISPACT對其進行活化計算分析,針對計算結(jié)果重點分析了磁體系統(tǒng)的中子學劑量分布以及活化情況。計算結(jié)果表明,中子能量通量最大處出現(xiàn)在聚變堆內(nèi)側(cè)線圈處,為3.97×1014 Me V·m-2,在該條件下超導線圈可以滿足設計要求。停機后磁體組件的活度為3.33×1010Bq·kg^-1,停機10年后下降2個數(shù)量級達到6.14×108Bq·kg^-1。研究結(jié)果驗證了所使用的CFETR 3維模型滿足初步設計條件。

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【部分圖文】：

圖1CFETR3維剖面的示意圖

第3期喬世吉等：CFETR磁體系統(tǒng)的中子學計算及活化分析355滿足包層的工程要求。CFETR的設計采用Li4SiO4作為氚增殖材料，Be作為中子倍增劑[14]，具體比例列于表1中。完成建模后的3維模型外形以及截面圖如圖4所示。圖1CFETR3維剖面的示意圖圖2CFETR工程設計基....

圖2CFETR工程設計基本尺寸

第3期喬世吉等：CFETR磁體系統(tǒng)的中子學計算及活化分析355滿足包層的工程要求。CFETR的設計采用Li4SiO4作為氚增殖材料，Be作為中子倍增劑[14]，具體比例列于表1中。完成建模后的3維模型外形以及截面圖如圖4所示。圖1CFETR3維剖面的示意圖圖2CFETR工程設計基....

圖3CFETR部件徑向分布尺寸

第3期喬世吉等：CFETR磁體系統(tǒng)的中子學計算及活化分析355滿足包層的工程要求。CFETR的設計采用Li4SiO4作為氚增殖材料，Be作為中子倍增劑[14]，具體比例列于表1中。完成建模后的3維模型外形以及截面圖如圖4所示。圖1CFETR3維剖面的示意圖圖2CFETR工程設計基....

圖43維建模結(jié)果(a)以及截面圖(b)

356核聚變與等離子體物理第37卷圖43維建模結(jié)果(a)以及截面圖(b)0.3MW·m-2，對歸一化數(shù)據(jù)進行刻度，在此基礎上進行模型驗證分析[19]。磁鐵活化計算包括以下步驟：1)用MCNPX程序進行中子輸運計算，確定滿功率運行時磁體部件包層各分區(qū)的中子能譜；2)用FISPACT....

本文編號：4007248