中国韩国日本在线观看免费,A级尤物一区,日韩精品一二三区无码,欧美日韩少妇色

當(dāng)前位置:主頁 > 理工論文 > 核科學(xué)論文 >

基于碘化鉛材料的陣列X射線探測(cè)器設(shè)計(jì)與研究

發(fā)布時(shí)間:2024-07-06 00:30
  碘化鉛(PbI2)晶體是一種新型的室溫核輻射探測(cè)材料,具有熔點(diǎn)低,原子序數(shù)大,電阻率高,密度大,物理化學(xué)穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn),能夠探測(cè)能量在1KeV~1MeV范圍內(nèi)的γ、X射線,在室溫核輻射探測(cè)器領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。用PbI2晶體制備的陣列探測(cè)器具有較低的暗電流,能夠在室溫下實(shí)現(xiàn)高能射線能量分辨,無需額外冷卻,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,相比于同類型探測(cè)器擁有諸多優(yōu)勢(shì)。因此,PbI2陣列X射線探測(cè)器近年來成為輻射探測(cè)材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一,在環(huán)境監(jiān)測(cè)、天文研究、生物醫(yī)學(xué)與核物理實(shí)驗(yàn)及相關(guān)儀器等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。在PbI2陣列探測(cè)器制備過程中,晶體的質(zhì)量、晶體的表面處理和探測(cè)器電極設(shè)計(jì)都對(duì)探測(cè)器的性能起著關(guān)鍵的作用。本文針對(duì)PbI2晶體生長(zhǎng)工藝、晶體表面處理工藝、探測(cè)器的電極接觸、電極設(shè)計(jì)及光電性能表征等關(guān)鍵問題進(jìn)行了深入研究并取得一定成果,總結(jié)如下:1、采用水平區(qū)熔法生長(zhǎng)PbI2晶體。探尋晶體生長(zhǎng)的最佳工藝參數(shù),獲得了質(zhì)量較高的塊狀PbI2單晶體。其中設(shè)計(jì)的水平區(qū)熔裝置有效的解決了傳統(tǒng)區(qū)熔生長(zhǎng)過程中PbI2蒸汽分凝問題。2、對(duì)比研究了不同表面處理工藝對(duì)PbI2晶體的表面形貌、光學(xué)性能、探測(cè)器的...

【文章頁數(shù)】:68 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1-]?pbb探測(cè)器的工作原理及其信號(hào)采集電路原理圖??

圖1-]?pbb探測(cè)器的工作原理及其信號(hào)采集電路原理圖??

器的Pbh材料時(shí),探測(cè)器中生成非平衡載流子一電子空穴對(duì)。在外加偏置電場(chǎng)作??用下二者分離并分別到達(dá)兩收集極,從而形成電信號(hào),該信號(hào)和在射線電離過程中??的能量損失成正比。圖1-1為Pbh探測(cè)器的工作原理及實(shí)驗(yàn)中采用儀表對(duì)信號(hào)進(jìn)??行采集的電路原理圖。??SMlr?B2912A??....


圖1-2?Pbl2探測(cè)器及其電子學(xué)系統(tǒng)框圖??

圖1-2?Pbl2探測(cè)器及其電子學(xué)系統(tǒng)框圖??

器的Pbh材料時(shí),探測(cè)器中生成非平衡載流子一電子空穴對(duì)。在外加偏置電場(chǎng)作??用下二者分離并分別到達(dá)兩收集極,從而形成電信號(hào),該信號(hào)和在射線電離過程中??的能量損失成正比。圖1-1為Pbh探測(cè)器的工作原理及實(shí)驗(yàn)中采用儀表對(duì)信號(hào)進(jìn)??行采集的電路原理圖。??SMlr?B2912A??....


圖1-3??1312探測(cè)器的示意圖(a)金屬/Pbl2/金屬結(jié)構(gòu)(b)像素陣列結(jié)構(gòu)??

圖1-3??1312探測(cè)器的示意圖(a)金屬/Pbl2/金屬結(jié)構(gòu)(b)像素陣列結(jié)構(gòu)??

器的Pbh材料時(shí),探測(cè)器中生成非平衡載流子一電子空穴對(duì)。在外加偏置電場(chǎng)作??用下二者分離并分別到達(dá)兩收集極,從而形成電信號(hào),該信號(hào)和在射線電離過程中??的能量損失成正比。圖1-1為Pbh探測(cè)器的工作原理及實(shí)驗(yàn)中采用儀表對(duì)信號(hào)進(jìn)??行采集的電路原理圖。??SMlr?B2912A??....


圖2-1垂直布里奇曼法原理圖??

圖2-1垂直布里奇曼法原理圖??

從坩堝底部位置起,Pbl2熔體逐漸往上結(jié)晶,最后生長(zhǎng)出整塊單晶。也可控??制結(jié)晶爐上升,坩堝位置不變,或者二者位置都不變,通過溫控裝置逐漸降低結(jié)晶??爐的溫度。如圖2-1所示。VBM法的優(yōu)點(diǎn)是:能夠防止熔體揮發(fā)和晶體的成份分??離,便于控制材料的成分,能生長(zhǎng)出大尺寸塊狀單晶。但無....



本文編號(hào):4001785

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://www.lk138.cn/projectlw/hkxlw/4001785.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶75590***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com