雙探測(cè)位置螺旋γ掃描技術(shù)研究
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【部分圖文】:
圖3密度為2g?cm-3時(shí)環(huán)源探測(cè)效率e隨探測(cè)器相對(duì)高度Δh的分布
THGS將探測(cè)的初始位置和終止位置分別在廢物桶底部下方和頂部上方延伸了一段距離,參照?qǐng)D3中環(huán)源探測(cè)效率隨探測(cè)器相對(duì)高度的分布特征,設(shè)定探測(cè)初始位置在廢物桶底部下方10cm,終止位置為廢物桶頂部上方10cm,則式(14)為:不同半徑位置環(huán)源的探測(cè)效率分布如圖4所示。當(dāng)放射源越靠....
圖4密度為1.5g?cm-3時(shí)等效環(huán)源探測(cè)效率隨其半徑分布(a)探測(cè)位置A,(b)探測(cè)位置B
不同半徑位置環(huán)源的探測(cè)效率分布如圖4所示。當(dāng)放射源越靠近桶中心位置時(shí),填充介質(zhì)對(duì)射線的衰減程度越大,探測(cè)效率越低,且放射性核素發(fā)射的特征γ射線能量越低,對(duì)填充介質(zhì)的衰減作用越敏感。不同密度下不同核素位于探測(cè)位置A和探測(cè)位置B的相對(duì)探測(cè)效率如圖5所示。
圖5密度為2.5g?cm-3時(shí)等效環(huán)源探測(cè)效率隨其半徑分布(a)探測(cè)位置A,(b)探測(cè)位置B
利用數(shù)值計(jì)算方法,模擬計(jì)算了不同密度下不同點(diǎn)源個(gè)數(shù)的等效半徑差,每種模擬工況下的點(diǎn)源分布位置隨機(jī),計(jì)算了200組數(shù)據(jù),基于數(shù)理統(tǒng)計(jì)的方法,每種工況下的平均等效半徑差如表1所示。不同密度下不同核素不同點(diǎn)源數(shù)的等效半徑差不同,分布范圍為0.25~2.2cm。當(dāng)點(diǎn)源個(gè)數(shù)小于21個(gè)時(shí),....
圖6探測(cè)位置B和探測(cè)位置A的相對(duì)探測(cè)效率隨其半徑分布(a)密度為1.5g?cm-3,(b)密度為2.5g?cm-3
圖5密度為2.5g?cm-3時(shí)等效環(huán)源探測(cè)效率隨其半徑分布(a)探測(cè)位置A,(b)探測(cè)位置B圖7密度為2.5g?cm-3時(shí)137Cs等效半徑差確定示意圖
本文編號(hào):3993192
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