發(fā)布時(shí)間：2020-11-20 14:37

　　 作為一種輻射指紋,γ能譜可以用來(lái)識(shí)別核材料的類(lèi)型或個(gè)體。因此,γ能譜指紋識(shí)別技術(shù)在核安全保障領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,特別是在核武器核查中發(fā)揮著重要作用。γ能譜指紋特征提取是γ能譜指紋識(shí)別過(guò)程中重要的技術(shù)環(huán)節(jié),同時(shí)也是屏蔽相關(guān)敏感信息的主要技術(shù)手段。因此研究γ能譜指紋特征提取具有重要的實(shí)際意義。本文提出了采用自適應(yīng)網(wǎng)絡(luò)模糊推理系統(tǒng)(Adaptive Network-based Fuzzy Inference System-ANFIS)對(duì)γ能譜指紋進(jìn)行二次特征提取的方法。首先建立一級(jí)ANFIS系統(tǒng),并對(duì)γ能譜指紋進(jìn)行仿真,提取ANFIS的后件參數(shù)建立訓(xùn)練樣本集,然后利用一級(jí)ANFIS后件參數(shù)訓(xùn)練樣本集對(duì)二級(jí)ANFIS進(jìn)行訓(xùn)練,并提取二級(jí)ANFIS的后件參數(shù)作為γ能譜指紋的識(shí)別特征。為驗(yàn)證方法的有效性,本文做了如下具體研究工作:(1)利用~(241)Am、~(60)Co、~(137)Cs、~(22)Na和~(152)Eu放射源及其組合模擬不同類(lèi)型和同一類(lèi)型不同個(gè)體的核材料,并進(jìn)行γ能譜指紋采集;(2)對(duì)上述模擬核材料γ能譜指紋進(jìn)行特征提取;(3)采用最大隸屬原則對(duì)上述核材料進(jìn)行識(shí)別,包括類(lèi)型識(shí)別,個(gè)體識(shí)別及差異甚微γ能譜指紋識(shí)別。研究結(jié)果表明,采用兩級(jí)ANFIS對(duì)γ能譜指紋進(jìn)行二次特征提取是可行的,對(duì)核材料的類(lèi)型識(shí)別、個(gè)體識(shí)別及差異甚微γ能譜指紋識(shí)別均是有效的。同時(shí),對(duì)γ能譜指紋中的敏感信息具有較好的屏蔽作用。另外,由于仿真過(guò)程中,ANFIS具有消噪作用,利用ANFIS進(jìn)行特征提取可以不必對(duì)γ能譜指紋做消噪預(yù)處理。
【學(xué)位單位】：遼寧師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位年份】：2016
【中圖分類(lèi)】：O571.323
【部分圖文】：

圖 2.1 光電效應(yīng)Fig. 2.1 photoelectric effect，γ射線(xiàn)能量 hv 遠(yuǎn)大于電子的束縛能 w0，而由于原子質(zhì)量子所獲得的反沖能 Ea遠(yuǎn)小于入射γ射線(xiàn)能量 hv。因此，在乎全部轉(zhuǎn)變?yōu)楣庾拥膭?dòng)能[19]。效應(yīng)是γ射線(xiàn)與原子的外層電子發(fā)生了非彈性碰撞，γ射線(xiàn)能量，另一部分能量 Eγ′以散射γ射線(xiàn)發(fā)射出去，反沖電子稱(chēng)為

圖 2.1 光電效應(yīng)Fig. 2.1 photoelectric effectγ射線(xiàn)能量 hv 遠(yuǎn)大于電子的束縛能 w0，而由于原子質(zhì)量所獲得的反沖能 Ea遠(yuǎn)小于入射γ射線(xiàn)能量 hv。因此，在乎全部轉(zhuǎn)變?yōu)楣庾拥膭?dòng)能[19]。效應(yīng)γ射線(xiàn)與原子的外層電子發(fā)生了非彈性碰撞，γ射線(xiàn)能量另一部分能量 Eγ′以散射γ射線(xiàn)發(fā)射出去，反沖電子稱(chēng)為

圖 2.3 電子對(duì)效應(yīng)Fig. 2.3 Electron pair effect構(gòu)成線(xiàn)強(qiáng)度按γ射線(xiàn)能量由小到大而分布的曲線(xiàn)。γ能譜一般由探測(cè)器、前置放大器、線(xiàn)性放大器、A/D 轉(zhuǎn)化器及多道示。
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本文編號(hào)：2891565