基于ANFIS的γ能譜指紋特征提取
【學(xué)位單位】:遼寧師范大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2016
【中圖分類】:O571.323
【部分圖文】:
圖 2.1 光電效應(yīng)Fig. 2.1 photoelectric effect,γ射線能量 hv 遠大于電子的束縛能 w0,而由于原子質(zhì)量子所獲得的反沖能 Ea遠小于入射γ射線能量 hv。因此,在乎全部轉(zhuǎn)變?yōu)楣庾拥膭幽躘19]。效應(yīng)是γ射線與原子的外層電子發(fā)生了非彈性碰撞,γ射線能量,另一部分能量 Eγ′以散射γ射線發(fā)射出去,反沖電子稱為
圖 2.1 光電效應(yīng)Fig. 2.1 photoelectric effectγ射線能量 hv 遠大于電子的束縛能 w0,而由于原子質(zhì)量所獲得的反沖能 Ea遠小于入射γ射線能量 hv。因此,在乎全部轉(zhuǎn)變?yōu)楣庾拥膭幽躘19]。效應(yīng)γ射線與原子的外層電子發(fā)生了非彈性碰撞,γ射線能量另一部分能量 Eγ′以散射γ射線發(fā)射出去,反沖電子稱為
圖 2.3 電子對效應(yīng)Fig. 2.3 Electron pair effect構(gòu)成線強度按γ射線能量由小到大而分布的曲線。γ能譜一般由探測器、前置放大器、線性放大器、A/D 轉(zhuǎn)化器及多道示。
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本文編號:2891565
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