發(fā)布時(shí)間：2024-05-24 22:55

　　星載有源相控陣作為一種高端相控陣應(yīng)用,多用于星地?cái)?shù)傳、星間鏈路、遙感探測(cè)雷達(dá)等領(lǐng)域。其中,以合成孔徑雷達(dá)(SAR)為代表的對(duì)地遙測(cè)星載有源相控陣通常具有超大陣面規(guī)模,對(duì)陣面性能如功耗、尺寸、重量、作用距離、測(cè)量精度等都有著極高的要求。傳統(tǒng)星載SAR大多由磚塊式收發(fā)組件(TR組件)構(gòu)成,但其占據(jù)的尺寸過大,并不利于小型化設(shè)計(jì),為進(jìn)一步降低SAR陣面尺寸、重量,TR組件正逐漸向瓦片式結(jié)構(gòu)發(fā)展。本文根據(jù)星載SAR實(shí)際應(yīng)用需求,對(duì)其內(nèi)部核心部件——TR組件展開研究,設(shè)計(jì)了一款X波段、低剖面、瓦片式TR組件,組件內(nèi)部集成四路收發(fā)通道,具有6位移相、6位衰減、2位延時(shí)調(diào)節(jié)功能,以及發(fā)射、接收、負(fù)載三種工作模式。組件設(shè)計(jì)方面:采用先進(jìn)微組裝工藝將射頻芯片與電源調(diào)制芯片以裸片形式模塊化集成,相比于直接使用封裝級(jí)芯片,避免了因封裝工藝不同而引起的熱效應(yīng)及寄生效應(yīng);為簡化組件系統(tǒng)應(yīng)用復(fù)雜度,采用單電源供電與串碼控制形式,使得組件外部接口更為簡潔;基于Ga As IPD工藝設(shè)計(jì)組件內(nèi)部關(guān)鍵無源器件,如功率分配器芯片和耦合器芯片,相比于傳統(tǒng)板級(jí)電路,具有更高的一致性及通用性;在組件公共通道中預(yù)留設(shè)計(jì)相位補(bǔ)償網(wǎng)...

【文章頁數(shù)】：99 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1COSMO-SkyMed雷達(dá)陣面結(jié)構(gòu)示意圖

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文引言2發(fā)通道、多種工作狀態(tài)，被測(cè)指標(biāo)數(shù)目將成倍增長。而每項(xiàng)測(cè)試指標(biāo)對(duì)測(cè)試鏈路連接、儀器儀表設(shè)置以及外圍測(cè)試附件的要求又不盡相同，導(dǎo)致整個(gè)組件測(cè)試過程變得尤為復(fù)雜。如果完全依賴于人為手動(dòng)測(cè)試，測(cè)試過程中需要根據(jù)測(cè)試指標(biāo)逐項(xiàng)設(shè)置每臺(tái)測(cè)試儀器的參數(shù)，并依次完成相應(yīng)附....

圖1-2SiGeBiCMOSTR芯片

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文引言32013年，美國IBM基于SiGeBiCMOS工藝研制出一款TR芯片[14]，該芯片集成16路收發(fā)通道，具有4位移相調(diào)節(jié)、3位衰減調(diào)節(jié)功能，芯片尺寸為6.6mm*5.9mm，被應(yīng)用于W波段雷達(dá)系統(tǒng)。圖1-2SiGeBiCMOSTR芯片2016年，日本三菱....

圖1-3低成本X波段TR組件年，印度太空應(yīng)用研究所等人采用技術(shù)和多芯片組件

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文引言32013年，美國IBM基于SiGeBiCMOS工藝研制出一款TR芯片[14]，該芯片集成16路收發(fā)通道，具有4位移相調(diào)節(jié)、3位衰減調(diào)節(jié)功能，芯片尺寸為6.6mm*5.9mm，被應(yīng)用于W波段雷達(dá)系統(tǒng)。圖1-2SiGeBiCMOSTR芯片2016年，日本三菱....

圖1-4Ka波段下變頻組件與C波段接收組件

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文引言32013年，美國IBM基于SiGeBiCMOS工藝研制出一款TR芯片[14]，該芯片集成16路收發(fā)通道，具有4位移相調(diào)節(jié)、3位衰減調(diào)節(jié)功能，芯片尺寸為6.6mm*5.9mm，被應(yīng)用于W波段雷達(dá)系統(tǒng)。圖1-2SiGeBiCMOSTR芯片2016年，日本三菱....

本文編號(hào)：3981342