X波段有源相控陣TR組件設(shè)計與測試技術(shù)研究
【文章頁數(shù)】:99 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1COSMO-SkyMed雷達(dá)陣面結(jié)構(gòu)示意圖
浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文引言2發(fā)通道、多種工作狀態(tài),被測指標(biāo)數(shù)目將成倍增長。而每項測試指標(biāo)對測試鏈路連接、儀器儀表設(shè)置以及外圍測試附件的要求又不盡相同,導(dǎo)致整個組件測試過程變得尤為復(fù)雜。如果完全依賴于人為手動測試,測試過程中需要根據(jù)測試指標(biāo)逐項設(shè)置每臺測試儀器的參數(shù),并依次完成相應(yīng)附....
圖1-2SiGeBiCMOSTR芯片
浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文引言32013年,美國IBM基于SiGeBiCMOS工藝研制出一款TR芯片[14],該芯片集成16路收發(fā)通道,具有4位移相調(diào)節(jié)、3位衰減調(diào)節(jié)功能,芯片尺寸為6.6mm*5.9mm,被應(yīng)用于W波段雷達(dá)系統(tǒng)。圖1-2SiGeBiCMOSTR芯片2016年,日本三菱....
圖1-3低成本X波段TR組件年,印度太空應(yīng)用研究所等人采用技術(shù)和多芯片組件
浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文引言32013年,美國IBM基于SiGeBiCMOS工藝研制出一款TR芯片[14],該芯片集成16路收發(fā)通道,具有4位移相調(diào)節(jié)、3位衰減調(diào)節(jié)功能,芯片尺寸為6.6mm*5.9mm,被應(yīng)用于W波段雷達(dá)系統(tǒng)。圖1-2SiGeBiCMOSTR芯片2016年,日本三菱....
圖1-4Ka波段下變頻組件與C波段接收組件
浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文引言32013年,美國IBM基于SiGeBiCMOS工藝研制出一款TR芯片[14],該芯片集成16路收發(fā)通道,具有4位移相調(diào)節(jié)、3位衰減調(diào)節(jié)功能,芯片尺寸為6.6mm*5.9mm,被應(yīng)用于W波段雷達(dá)系統(tǒng)。圖1-2SiGeBiCMOSTR芯片2016年,日本三菱....
本文編號:3981342
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