基于介質(zhì)諧振器的ESPAR陣列天線的研究及設(shè)計
發(fā)布時間:2020-12-09 23:08
相控陣天線的波束控制能力傳統(tǒng)上由移相器提供。然而,移相器占據(jù)相控陣系統(tǒng)相當大的成本且移相器在X波段及以上有相當大的損耗。使用變?nèi)荻䴓O管或pin二極管代替移相器的電控無源陣列天線(ESPAR)能降低系統(tǒng)功耗和成本,對商業(yè)化應(yīng)用有很大的前景。本文研究包含三個方面:第一,研究了不同的縫隙形狀對天線性能的影響,提出了一種工作在3GHz的“hourglass”形縫隙耦合微帶ESPAR陣列天線,通過改變加載在寄生貼片上的電抗值實現(xiàn)不同的波束轉(zhuǎn)向,HFSS仿真實驗表明,該陣列能在維持阻抗匹配的情況下,實現(xiàn)-37°~370連續(xù)波束轉(zhuǎn)向,最大輻射增益能達到9.14dBi。第二,提出了一種激勵TE113高階模的電控無源陣列天線(ESPAR),該陣列由一個饋電穿孔介質(zhì)諧振器(PDR)和兩個寄生穿孔介質(zhì)諧振器組成,通過縫隙耦合饋電。采用穿孔技術(shù)降低介質(zhì)諧振器的相對介電常數(shù)從而提高天線帶寬,改變加載在寄生介質(zhì)諧振器上的電抗值實現(xiàn)主瓣方向圖的轉(zhuǎn)向。該ESPAR陣列天線-lOdBi相對帶寬約為 18.3%(10.09GHz~12.11GHz),在 11GHz能實現(xiàn)-32°~32°波束轉(zhuǎn)向,且在波束轉(zhuǎn)向過程中維持阻抗...
【文章來源】:云南大學云南省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:66 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1單極子和偶極子ESAPR??ESPAR陣列天線的阻抗帶寬是一個主要問題,為了提高阻抗帶寬,文獻[8?10]??
ESAPR(13]?ESPAR[14]??圖1.1單極子和偶極子ESAPR??ESPAR陣列天線的阻抗帶寬是一個主要問題,為了提高阻抗帶寬,文獻[8?10]??報道了利用不同的拓撲結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)帶寬的拓寬,如采用Koch分形結(jié)構(gòu)[8],雙曲線??交叉偶極子[9]和增加耦合多導(dǎo)體條帶[10]?紤]到寄生單元之間的相互耦合效應(yīng)對??系統(tǒng)效率的影響,文獻[11]使用超材料減少寄生單元間的耦合作用。但上述的不同??結(jié)構(gòu)的ESAPR天線增益仍然較低,為了提高增益并且提高阻抗帶寬,文獻[12]使??用單極子天線結(jié)合十二個寄生單極子通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)饋電,阻抗帶寬為32.0%,??增益大約為9.0dBi。??由于單極子和偶極子的剖面都太高,在移動終端上很難得以應(yīng)用。為此,junwei??3??
阻抗帶寬寬,損耗低,無表面波激勵[26 ̄29]。為此,RezaMovahedinia和??Mohammad?RezaChaharmir等人把介質(zhì)諧振器天線(DRA)作為輻射單元設(shè)計了??介質(zhì)諧振器ESAPR陣列天線[30 ̄35]。圖1.3給出了?DRA-ESAPR的部分設(shè)計。文??獻[30]設(shè)計了由微帶線直接激勵的H面耦合介質(zhì)諧振器ESAPR陣列天線,該陣列??包含一個中心饋電的介質(zhì)諧振器天線(DRA)和兩個寄生介質(zhì)諧振器,三個介質(zhì)??諧振器尺寸相同且介電常數(shù)都為35.9,通過改變加載在寄生介質(zhì)諧振器上的電控??值,實現(xiàn)了?H面上-30°到30°連續(xù)的波束轉(zhuǎn)向。值得一提的是H面耦合不改變??介質(zhì)諧振器天線的極化模式,對于E面耦合的介質(zhì)諧振器ESPAR,文獻[31]使用??縫隙耦合饋電方式,設(shè)計了?E面耦合的線極化三單元介質(zhì)諧振器電控無源陣列天??線(DRA-ESPAR),實現(xiàn)了更大的波束轉(zhuǎn)向,同時,[31]中將三單元的DRA-ESPAR??擴展到五單元的DRA-ESPAR[32]以及提出了以DRA-ESAPR子陣列實現(xiàn)更大陣列??布置的相關(guān)理論
本文編號:2907620
【文章來源】:云南大學云南省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:66 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1單極子和偶極子ESAPR??ESPAR陣列天線的阻抗帶寬是一個主要問題,為了提高阻抗帶寬,文獻[8?10]??
ESAPR(13]?ESPAR[14]??圖1.1單極子和偶極子ESAPR??ESPAR陣列天線的阻抗帶寬是一個主要問題,為了提高阻抗帶寬,文獻[8?10]??報道了利用不同的拓撲結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)帶寬的拓寬,如采用Koch分形結(jié)構(gòu)[8],雙曲線??交叉偶極子[9]和增加耦合多導(dǎo)體條帶[10]?紤]到寄生單元之間的相互耦合效應(yīng)對??系統(tǒng)效率的影響,文獻[11]使用超材料減少寄生單元間的耦合作用。但上述的不同??結(jié)構(gòu)的ESAPR天線增益仍然較低,為了提高增益并且提高阻抗帶寬,文獻[12]使??用單極子天線結(jié)合十二個寄生單極子通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)饋電,阻抗帶寬為32.0%,??增益大約為9.0dBi。??由于單極子和偶極子的剖面都太高,在移動終端上很難得以應(yīng)用。為此,junwei??3??
阻抗帶寬寬,損耗低,無表面波激勵[26 ̄29]。為此,RezaMovahedinia和??Mohammad?RezaChaharmir等人把介質(zhì)諧振器天線(DRA)作為輻射單元設(shè)計了??介質(zhì)諧振器ESAPR陣列天線[30 ̄35]。圖1.3給出了?DRA-ESAPR的部分設(shè)計。文??獻[30]設(shè)計了由微帶線直接激勵的H面耦合介質(zhì)諧振器ESAPR陣列天線,該陣列??包含一個中心饋電的介質(zhì)諧振器天線(DRA)和兩個寄生介質(zhì)諧振器,三個介質(zhì)??諧振器尺寸相同且介電常數(shù)都為35.9,通過改變加載在寄生介質(zhì)諧振器上的電控??值,實現(xiàn)了?H面上-30°到30°連續(xù)的波束轉(zhuǎn)向。值得一提的是H面耦合不改變??介質(zhì)諧振器天線的極化模式,對于E面耦合的介質(zhì)諧振器ESPAR,文獻[31]使用??縫隙耦合饋電方式,設(shè)計了?E面耦合的線極化三單元介質(zhì)諧振器電控無源陣列天??線(DRA-ESPAR),實現(xiàn)了更大的波束轉(zhuǎn)向,同時,[31]中將三單元的DRA-ESPAR??擴展到五單元的DRA-ESPAR[32]以及提出了以DRA-ESAPR子陣列實現(xiàn)更大陣列??布置的相關(guān)理論
本文編號:2907620
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