InP基長波長晶體管激光器(特邀)
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【部分圖文】:
圖7深脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)TL結(jié)構(gòu)示意圖及InP基深脊TL截面SEM圖[21]
深脊型TL結(jié)構(gòu)如圖7(a)所示,器件結(jié)構(gòu)左右對稱,圖中顯示了其右側(cè)一半.可見與淺脊TL中量子阱有源區(qū)材料被p型基區(qū)材料包圍的情況不同,深脊TL中量子阱有源區(qū)材料位于重摻雜基區(qū)材料之上.并且,其發(fā)射極波導(dǎo)刻蝕穿過量子阱材料停止于p型基區(qū)材料之中,這也是其被稱為深脊結(jié)構(gòu)的原因[20-....
圖8室溫工作InP基深脊TL材料結(jié)構(gòu)[24]
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所利用深脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)成功研制出了可在室溫連續(xù)電流下工作的InP基長波長TL[24].其材料結(jié)構(gòu)如圖8所示,采用InGaAsP多量子阱為有源區(qū)材料,在量子阱材料及基區(qū)材料之間引入了一層厚為90nm的無摻雜的InGaAsP間隔層材料以進一步減少重摻雜....
圖9InP深脊TL共發(fā)射極光電特性[24]
圖9(c)為器件室溫下的發(fā)光光譜.因為器件中沒有制作光柵結(jié)構(gòu),所以器件為多縱模工作,波長在1535nm至1538nm之間.圖9(d)為器件10oC時共發(fā)射極工作模式下的整流特性.可見,器件在100mA基極電流及VCE=2V條件下的共發(fā)射極電流放大系數(shù)(IC/IB)分....
圖10共發(fā)射極模式量子阱摻雜濃度分別為0至1×1018cm-3時TL的光功率和電流放大系數(shù)特性
基于Crosslight-PICs3D軟件的數(shù)值計算研究表明在深脊TL的量子阱材料中引入n型摻雜可以明顯改善器件的光電特性[25].用于計算器件的結(jié)構(gòu)與圖8一致.如圖10(a)所示,量子阱側(cè)壁缺陷復(fù)合速率設(shè)置為1×104cm-1時量子阱無摻雜器件共發(fā)射極模式的基極閾值電流為38....
本文編號:4005673
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