發(fā)布時間：2024-09-17 15:31

　　在近20年的研究中,長余輝材料得到了前所未有的發(fā)展,許多新型的長余輝材料得到了開發(fā)和應(yīng)用。目前大量的硅酸鹽熒光粉由于其優(yōu)良的發(fā)光性能和高的物理、化學(xué)穩(wěn)定性被大量報導(dǎo)。我們通過高溫固相法成功制備了一種新型的且性能優(yōu)異的硅酸鹽長余輝熒光粉Li GaSiO₄:Mn²⁺。對所測的XRD數(shù)據(jù)進(jìn)行了精修處理,確定了其屬于三斜晶系,及各個陽離子均為四配位,且各個陽離子之間通過四面體相連。通過對其發(fā)射和余輝光譜及余輝衰減曲線和熱釋光譜的詳細(xì)分析,確定了Mn²⁺進(jìn)入了Li⁺格位,并表現(xiàn)出了綠光發(fā)射,在紫外燈和模擬日光燈源的照射下,該長余輝熒光粉的余輝時間可長達(dá)365 min和125 min。利用初升法對不同的激發(fā)溫度下的樣品熱釋光譜分析,得出在該樣品內(nèi)部存在兩種陷阱。依據(jù)上述的實(shí)驗分析,我們可得出Li GaSiO₄:Mn²⁺可做為一個性能優(yōu)異的綠色長余輝發(fā)光材料。熒光粉由于其高效的發(fā)光效率,被廣泛用于照明和顯示領(lǐng)域。目前,阻礙LED燈具發(fā)展的一個重大因素是:燈具在使用時會產(chǎn)生...

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1空穴轉(zhuǎn)移模型

圖1.1空穴轉(zhuǎn)移模型1.3.2Aitasalo余輝機(jī)理模型模型又稱作雙光子氧空位模型，于在2001年由T.Aitasalo等人提出示，他們認(rèn)為兩個530nm的光子將電子從價帶激發(fā)到深陷阱中，隨阱，而產(chǎn)生的空穴進(jìn)入了Ca空位陷阱。他們分別捕獲電子和空穴之子-....

圖1.3鑭系離子能級示意圖

圖1.4導(dǎo)帶氧空位模型

圖1.4導(dǎo)帶氧空位模型熱敏感發(fā)光材料前，熒光粉的應(yīng)用都處于較成熟的階段，然而，在熒光粉使用過程中產(chǎn)生引起的熱猝滅效應(yīng)導(dǎo)致其發(fā)光亮度的降低是限制熒光粉的應(yīng)用的一個最大素。經(jīng)過調(diào)研文獻(xiàn)我們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)晶體具有剛性的完美結(jié)構(gòu)時，可極大的削弱猝滅效應(yīng)引發(fā)的熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度減弱的現(xiàn)象。如圖....

圖3.1（a）為樣品LiGaSiO4的XRD圖譜；（b）為基質(zhì)LiGaSiO4的精修圖譜

蘭州大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文長余輝材料內(nèi)部陷阱及發(fā)光性能的研究3.3LiGaSiO4基質(zhì)材料的晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)的研究3.3.1LiGaSiO4基質(zhì)材料的晶體結(jié)構(gòu)分析圖3.1（a）為基質(zhì)材料LiGaSiO4的XRD圖譜。如圖所示，所制備樣品峰位與標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片#7....

本文編號：4005658