發(fā)布時間：2020-12-07 23:31

　　近年來，利用Stranski-Krastanow方式（簡稱S-K方式）自組織生長的量子點越來越受到人們的關注�；�于這種量子點的半導體器件既有非常廣闊的應用前景又具有很大的理論研究意義。通過研究量子點器件的工作原理，可以得到有關量子點能級的詳細信息。 本文報道的基于pHEMT結構的InAs／GaAs量子點存儲器，既能在室溫下工作，又可以只用柵極電壓來控制其存儲狀態(tài)，具有十分重要的應用前景。我們在室溫下對InAs／GaAs量子點存儲器進行了延滯回線、溝道電導實時測試、偏壓降溫C-V特性等測試。 本文首先概述了量子點的基本概念、主要性質、制備方法和器件應用，以及量子點存儲器的結構與工作原理。我們共制備了四種不同結構的InAs／GaAs量子點材料，并分別加工成器件，用于實驗測試。利用FET與I-V特性測試來判斷器件加工工藝是否符合要求，并判別器件性能的優(yōu)劣，選取所需的器件進行后續(xù)的測試；延滯回線測試表明器件具有明顯的延滯特征，也就說明了該器件在不同柵壓條件下能夠形成兩種不同的狀態(tài)，因此具有存儲效應；利用溝道電導實時測試不僅可以得出器件工作的原理，還可以測得相應的存儲保持時間，其中V... 

【文章來源】：山東大學山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

一K生長方式示意圖

基本H五MT結構不怠圖

圖110劉允drli招turmentsVGSe而conV90HMBE分子束外延技術是在二十世紀七十年代由美國新澤西州貝爾實驗室的卓以和博士發(fā)明的一種晶體生長技術，它使科研和工程人員能夠在次納米層次及其精確地制造復合半導體裝置〔79]。該技術除了可以生長原子級精度的同質結構，還可以生長如量子阱、超晶格、量子線及量子點等多種多樣的異質結構。下面本文將介紹分子束外延系統(tǒng)的結構及反射高能電子衍射儀(RefiectinoHihgEne卿ElectornDi價action，簡稱RH五ED)的工作原理。1.分子束外延(MBE)系統(tǒng)分子束外延(MoleeularBeamEpitxay，簡稱MBE)1801一{551技術本質上是在超高真空條件下，對蒸發(fā)束源和外延襯底溫度加以精確控制的薄膜蒸發(fā)技術。該技術可以在原子尺度上精確控制外延厚度、摻雜和界面平整度。它是在20世紀50年代發(fā)展起來的真空沉積111一V族化合物的三溫度法，以及1968年

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2904071