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硝胺類炸藥晶體生長的理論研究

發(fā)布時(shí)間:2024-06-11 03:44
  目前,對(duì)于炸藥結(jié)晶方法和技術(shù)的研究還主要基于實(shí)驗(yàn),即通過不斷調(diào)節(jié)實(shí)驗(yàn)的條件及優(yōu)化結(jié)晶的工藝而獲得,對(duì)結(jié)晶過程中最根本的問題,即晶體成核和生長過程及其機(jī)理缺少研究。分子模擬可從原子分子尺度來認(rèn)識(shí)晶體成核和生長的動(dòng)態(tài)過程,解釋影響成核和晶體生長的主要因素,獲得有關(guān)溶劑、溶質(zhì)、晶面相互作用的微觀信息,為發(fā)展高品質(zhì)炸藥的結(jié)晶技術(shù)提供理論支撐。本論文以1,3,5,7-四硝基-1,3,5,7-四氮環(huán)雜辛烷(HMX)為研究對(duì)象,基于晶體生長原理,運(yùn)用分子動(dòng)力學(xué)方法,構(gòu)建兩種不同的理論模型,對(duì)HMX的晶體生長進(jìn)行了理論研究。此外,論文還運(yùn)用第一原理方法對(duì)鋁鋰系金屬間化合物進(jìn)行了模擬。主要內(nèi)容包括: 1.選用二甲亞砜(DMSO)為溶劑,研究了不同溫度下HMX分子的結(jié)晶過程。構(gòu)建了一個(gè)含有20個(gè)HMX分子和100個(gè)DMSO分子的溶液模型,對(duì)構(gòu)建好的模型進(jìn)行幾何優(yōu)化,對(duì)優(yōu)化好的模型進(jìn)行分子動(dòng)力學(xué)模擬;谄胶夂蟮哪M系統(tǒng),計(jì)算DMSO分子和HMX分子的擴(kuò)散系數(shù)、DMSO分子和HMX分子之間的結(jié)合能。結(jié)果表明溫度為358K時(shí),HMX分子的擴(kuò)散系數(shù)最大,與DMSO之間的結(jié)合能最小,最有利于晶核的形成;HMX分子...

【文章頁數(shù)】:77 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1-1四種晶型奧克托今結(jié)晶外觀圖

圖1-1四種晶型奧克托今結(jié)晶外觀圖

HMX是一種白色結(jié)晶,在室溫到熔點(diǎn)這一溫度區(qū)間內(nèi),存在有α、β、γ和δ四種晶型,它們?cè)谝欢囟认驴梢韵嗷マD(zhuǎn)化(α→δ,193-201°C;β→δ,167-183°C;γ→δ,175-182°C;α→β,116°C),且有不同的穩(wěn)定溫度范圍,其物理常數(shù)也不同。β-HMX屬....


圖1-2β-HMX分子的構(gòu)象

圖1-2β-HMX分子的構(gòu)象

它們的外觀見圖1-1四種晶型奧克托今結(jié)晶外urkindsofcrystallizedm且密度最大,機(jī)械感度最此我們?cè)谀M研究中選擇β同一個(gè)平面上,兩個(gè)氨基氮下。其分子的立體結(jié)構(gòu)見


圖1-3熔融硝基甲烷結(jié)晶模擬示意圖

圖1-3熔融硝基甲烷結(jié)晶模擬示意圖

圖1-3熔融硝基甲烷結(jié)晶模擬示意圖-3Schematicforcrystallizationsimulationofnitromethanefrmelt圖中可以看出作者采用的是三體系模型,中間部分為熔融的硝


圖1-4模擬溫度為190K時(shí)(100)面上結(jié)晶體系的結(jié)構(gòu)特征

圖1-4模擬溫度為190K時(shí)(100)面上結(jié)晶體系的結(jié)構(gòu)特征

與液體相鄰的兩個(gè)上下面是硝基甲烷晶體的(100)面(或者(01)和(110)面),最后在晶面的上層添加一定厚度的真空層(研不加真空層則在模擬相同的時(shí)間內(nèi)沒有晶體產(chǎn)生)。模擬完成以擬后體系的徑向分布函數(shù),分子密度,方向參數(shù)和分子的自擴(kuò)散分析。圖1-4為文中作者對(duì)距離生長晶面9....



本文編號(hào):3992357

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