高放核廢料存儲環(huán)境下溫度對純銅腐蝕的影響(英文)
本文選題:銅腐蝕 切入點:硫化物 出處:《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》2017年06期
【摘要】:系統(tǒng)研究在高放核廢料存儲環(huán)境下溫度對純銅腐蝕的影響。采用交流阻抗譜、Mott-Schottky技術(shù)、動電位以及恒電位極化曲線分析純銅在不同溫度下的腐蝕行為;并采用體視顯微鏡以及掃描電鏡觀察樣品表面形貌,同時結(jié)合X射線光電子能譜分析鈍化膜成分。結(jié)果表明,鈍化膜阻抗并不隨著溫度的升高而一直降低,在60°C由于致密的外層結(jié)構(gòu)阻抗反常增大;點蝕在此環(huán)境下可能發(fā)生且鈍化膜的點蝕電位隨著溫度的升高而降低;鈍化膜主要成分為Cu_2S,而CuS的含量隨著溫度的升高而增加;鈍化膜主要呈p型半導(dǎo)體特性,陽離子空位密度在1023 cm~(-3)數(shù)量級且隨著溫度的升高其密度增大。
[Abstract]:The effect of temperature on corrosion of pure copper in the environment of high radioactive nuclear waste storage was studied systematically. The corrosion behavior of pure copper at different temperatures was analyzed by means of AC impedance spectroscopy Mott-Schottky technique, potentiodynamic and potentiostatic polarization curves. The surface morphology was observed by stereoscopic microscope and scanning electron microscope, and the composition of passivation film was analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy. The results showed that the impedance of passivation film did not decrease with the increase of temperature. The corrosion potential of the passivation film decreases with the increase of temperature, and the main composition of the passivation film is CuS2S, while the content of CuS increases with the increase of temperature, and the corrosion potential of the passivated film decreases with the increase of temperature, due to the anomalous increase of the impedance of the dense outer structure at 60 擄C, and the pitting potential of the passivated film decreases with the increase of temperature. The passivation film is mainly p-type semiconductor with a cationic vacancy density of 1023 cm ~ (-1) -3) and increasing with the increase of temperature.
【作者單位】: 北京科技大學(xué)腐蝕防護中心教育部重點實驗室;
【基金】:Project(FRF-TP-14-011C1) supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China Project(2014CB643300) supported by the National Basic Research Program of China
【分類號】:TG178
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,本文編號:1692062
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