發(fā)布時(shí)間：2024-07-02 05:47

　　硅材料由于含量豐富、價(jià)格便宜、易于生長(zhǎng)以及兼容性高等優(yōu)點(diǎn),相比其它半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō),具有明顯的競(jìng)爭(zhēng)力,是太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)中使用最廣泛的材料。但是,目前通常使用的p型硅片采用的是摻雜硼元素的硅晶體。而摻硼硅晶體由于內(nèi)部形成硼氧復(fù)合體,會(huì)導(dǎo)致光致衰減現(xiàn)象的發(fā)生,使得其制備的硅太陽(yáng)能電池效率較低。硼鎵共摻硅晶體既可以一定程度上緩解硼氧復(fù)合體帶來(lái)的光致衰減現(xiàn)象,又可以改善只摻雜鎵元素所帶來(lái)的晶體縱向電阻率分散性大的難題,具有很大的應(yīng)用前景。因此,對(duì)于硼鎵共摻硅晶體的共摻影響進(jìn)行系統(tǒng)深入的研究是十分必要的,包括受主硼、鎵與硅晶體中的雜質(zhì)尤其是金屬雜質(zhì)的相互作用,特別是鐵雜質(zhì),它是硅材料中最普通也是最重要的金屬沾污之一。本文圍繞硼鎵共摻直拉單晶(Czochralski,CZ)硅中鐵雜質(zhì)的行為探究這一主題,系統(tǒng)地研究了硼鎵共摻CZ硅中鐵受主對(duì)的分布及其氫鈍化行為,以及鐵沉淀的電學(xué)性能,得到了以下主要?jiǎng)?chuàng)新結(jié)果:(1)研究了硼鎵共摻CZ硅中鐵受主對(duì)的分布、氫鈍化行為及其熱穩(wěn)定性。采用FeCl₃溶液浸漬和高溫退火的方式引入鐵沾污,發(fā)現(xiàn)通過(guò)piranha溶液浸漬和負(fù)偏壓退火(RBA)處理引...

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.1硅中摻硼的結(jié)構(gòu)和能帶示意圖

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文62.2.1硅中的硼的基本性質(zhì)硼（B）是硅中重要的摻雜元素，在元素周期表中位于第二周期第三主族，緊鄰位于第四主族的硅（Si）。B在硅內(nèi)部通常以替代位的形式存在，是特意摻雜的受主元素，目的是使本征硅晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量空穴。其原理是B原子替代了Si晶體中某些硅原子的....

圖2.2重?fù)脚鹬崩�硅生長(zhǎng)過(guò)程中揮發(fā)物的(a)XRD和(b)EDX譜[19]

第二章文獻(xiàn)綜述7度達(dá)不到B的熔化溫度，B基本不揮發(fā)，保證了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中實(shí)際摻雜濃度和目標(biāo)摻雜濃度的一致性。當(dāng)硅晶體中目標(biāo)B摻雜濃度小于2×1019cm-3時(shí)，很難檢測(cè)到B的揮發(fā)；當(dāng)目標(biāo)B摻雜濃度增加到4×1019cm-3時(shí)，才能在揮發(fā)物中檢測(cè)到B的存在，如圖2.2所示[19]。....

圖2.3p型摻硼CZ硅、MCZ硅、FZ硅和p型摻鎵CZ硅的少子壽命隨光照時(shí)間的變化

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文8等化學(xué)特性。圖2.3p型摻硼CZ硅、MCZ硅、FZ硅和p型摻鎵CZ硅的少子壽命隨光照時(shí)間的變化[20]Figure2.3MinoritycarrierlifetimewithilluminationtimeincreasingforB-dopedCZ-Si,....

圖2.4不含氧與含氧的p型摻硼FZ硅、n型摻磷FZ硅以及p型摻硼CZ硅的少子壽命隨光照時(shí)間的變化曲線[20]

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文8等化學(xué)特性。圖2.3p型摻硼CZ硅、MCZ硅、FZ硅和p型摻鎵CZ硅的少子壽命隨光照時(shí)間的變化[20]Figure2.3MinoritycarrierlifetimewithilluminationtimeincreasingforB-dopedCZ-Si,....

本文編號(hào)：3999770