根據(jù)納米MOSFET的緊湊模型,采用HSPICE的蒙特卡羅分析方法,研究隨機摻雜波動（RDF）引起的納米MOSFET模擬/射頻性能包括柵極電容、截止頻率、跨導和輸出電導等參數(shù)的變化標準差,同時通過改變柵介質(zhì)的介電常數(shù)（ε）和等效氧化層厚度(d_ox),觀測其對RDF引起的模擬/射頻性能變化的影響。結(jié)果顯示,RDF引起的MOSFET模擬/射頻性能參數(shù)變化表現(xiàn)出不同的特征,而在適當選擇較高的ε和d_ox情況下,RDF引起的模擬/射頻性能參數(shù)變化標準差有一定程度的減�。ń^對標準偏差整體降低到接近0,相對標準偏差整體最大降低10%）,為通過改變等效柵介質(zhì)抑制RDF的影響提供了實驗依據(jù)。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 建模與仿真
2 實驗結(jié)果和討論
3 結(jié)論



本文編號：4056495