發(fā)布時間：2024-12-27 04:00

　　SiGe合金納米顆粒是一種新型的半導體納米材料,對其微觀特性的研究對摩爾定律的延續(xù)與納米光電子器件的發(fā)展具有重大意義。目前,關于SiGe納米材料的報道較少,對SiGe納米顆�？焖倌�固的分子動力學模擬研究仍處于初級階段。本文采用分子動力學方法,結合雙體分布函數、原子平均能量、配位數、鍵角分布函數、二面角分布函數、最大標準團簇分析法與可視化等微觀結構表征方法,模擬研究了1×10～9 K/s冷速下液態(tài)Si₅₀Ge₅₀納米顆粒的快速凝固過程、不同冷速對液態(tài)Si₅₀Ge₅₀納米顆�？焖倌�固過程中的微觀結構的影響以及在1×10¹⁰ K/s冷卻速率下Si、Ge組成比例不同對SiGe合金納米顆粒凝固過程中微觀結構的影響。本文主要研究結果:采用Tersoff勢函數,在1×10～9 K/s冷速下液態(tài)Si₅₀Ge₅₀納米顆粒形成了閃鋅礦結構與纖鋅礦結構相互嵌套的納米晶體結構,形狀近似球形。體系開始結晶溫度約為1650 K,結晶過程中形成了大量的[4-S000...

【文章頁數】：70 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1SiGe晶胞示意圖(黃色為Si，綠色為Ge)

米顆粒；在N2環(huán)境溫度分別為900℃和1000℃時，快速e0.88納米顆粒晶體。Upadhyay[25]發(fā)現在CrSi2中摻入適量熱導率。Ren[26]和Yang[27]在對SiGe納米顆粒的形狀和e納米顆粒呈橢球形，具有金剛石結構。雖然已有不少e合金的性質和制....

圖1.2SiGe合金固液相圖

圖1.2SiGe合金固液相圖[29]1.3.1SiGe合金電學性質在SiGe合金中，其電子遷移率幾乎達到純Si的兩倍(Ge中電子遷移率為3900cm2/（Vs-1），Si中電子遷移率是1500cm2/（Vs-1），Ge中空穴遷移率是1900cm2....

圖2.1S555分解圖

貴州大學碩士學位論文任意原子為中心的基本結構單元（最大標準團簇，LSC:thelargeststandardcluster），適合描述有序和無序體系的局域原子結構。LSCA不僅能清晰地描述兩個根對原子與其近鄰原子之間的近鄰情況，而且可以直觀的反映系統(tǒng)的局域結構。LSCA的基本....

圖2.2ICO、tDh、HCP、FCC和BCC結構

圖2.2ICO、tDh、HCP、FCC和BCC結構2.5tDIA結構[4-S000]和[3-S000]團簇是半導體材料中常見的LSC類型，如圖2.3所示。圖2.3(a)為[4-S000]團簇結構，其中心原子與任意一個近鄰原子構成的根對原子的CNSs均為....

本文編號：4021102