PCM測(cè)試參數(shù)與CCD工藝關(guān)系研究
發(fā)布時(shí)間:2024-12-22 05:08
PCM(Process Control Monitor)是一種反映生產(chǎn)線工藝狀況的質(zhì)量監(jiān)控技術(shù)。文章圍繞影響電荷耦合器件(CCD)工藝中PCM測(cè)試結(jié)果的工藝因素展開研究,并對(duì)PCM測(cè)試結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,以達(dá)到測(cè)試結(jié)果用于工藝改進(jìn)的目的,并最終獲取最佳工藝條件。結(jié)果表明:低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)溫度為700℃、膜厚為580nm時(shí)的方塊電阻為18Ω/□;孔工藝采用干法刻蝕CF4流量為15cm3/min、CHF3流量為45cm3/min下的接觸電阻為7Ω;柵下埋溝注入磷離子能量為250keV、劑量為2.5×1012atom/cm2時(shí),MOS管閾值電壓為-8.5V;二次鋁刻蝕主刻蝕采用Cl2流量為90cm3/min,BCl3流量為45cm3/min,N2流量為30cm3/min可有效避免因殘留物引起的金屬同層漏電。
【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)
【文章目錄】:
0 引言
1 PCM技術(shù)基本原理
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
2.1 方塊電阻
2.2 接觸電阻
2.3 閾值電壓
2.4 金屬同層漏電
3 結(jié)論
本文編號(hào):4019483
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0 引言
1 PCM技術(shù)基本原理
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
2.1 方塊電阻
2.2 接觸電阻
2.3 閾值電壓
2.4 金屬同層漏電
3 結(jié)論
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